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前言

01

IGBT作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應用極為廣泛，被譽為半導體皇冠上的明珠。作為一名電力電子打工人，大家或多或少都應該和IGBT打過交道。面對耳熟能詳?shù)腎GBT，內(nèi)部結(jié)構(gòu)是什么樣的？估計大部分小伙伴就不太清楚了。為了滿足大家的好奇心，今天我們就以英飛凌 PrimePACK 3封裝的IGBT模塊為例，幫大家拆解一下，看看這項高科技的內(nèi)部隱藏著哪些秘密！

IGBT模塊簡介

02

今天要給大家拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4，模塊外形及等效電路如圖2所示。模塊的長寬高為：25cmx8.9cmx3.8cm，握在手中，像塊板磚，可作防身用。
模塊內(nèi)部包含兩個IGBT，也就是我們常說的半橋模塊，每個IGBT的額定電壓和電流都是1.7kV 1.4kA。8、9、10、11、12為功率端子，需要連接功率回路。1、2、3、4、5為IGBT的輔助控制端子，需要連接門極驅(qū)動回路。6和7為NTC熱敏電阻，用來做溫度檢測或過溫保護。
圖2. FF1400R17IP4 模塊圖片及電氣原理
像這種類似板磚的黑模塊除了“防身”還能做什么呢？舉個身邊的例子：新能源電動汽車，大家應該都比較熟悉了，采用3個這樣的黑模塊就可以做一個三相電機驅(qū)動器，如果再配上電池，驅(qū)動一個電動大巴完全是綽綽有余的。當然了，該模塊在其它應用場合也很多，就不一一介紹了。圖3. IGBT新能源大巴應用

IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)

03

對IGBT模塊外部結(jié)構(gòu)和應用有了初步了解后，讓我們進入本文的主題，看看這個高科技的黑模塊內(nèi)部到底是什么樣子的。圖4就是IGBT模塊去掉黑色外殼的內(nèi)部圖片，有沒有被驚艷到？需要說明的是IGBT模塊內(nèi)部并沒有什么貴重金屬，金色是銅而不是黃金，銀色的是鋁也不是銀。貌似最近銅的價格比較貴，估計壞的模塊按斤稱的話，也值個百十來塊錢。老耿也曾經(jīng)想過收集IGBT廢品，然后再提取金屬銅，只怪自己的執(zhí)行力不夠強，錯失了發(fā)財機會。
圖4. IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)
扯遠了，回到主題，圖5為IGBT模塊的剖面圖，如果去掉黑色外殼以及對外的連接端子，IGBT模塊內(nèi)部主要包含3個部件，散熱基板、DBC基板和硅芯片（包含IGBT芯片和Diode芯片），其余的主要是焊料層和互連導線，用途是將IGBT芯片、Diode芯片、功率端子、控制端子以及DBC連接起來，下面我們對每個部分作簡單介紹：
圖5 IGBT模塊結(jié)構(gòu)剖面圖

① 散熱基板：IGBT模塊最下面的就是散熱基板，主要目的是把IGBT開關(guān)過程產(chǎn)生的熱量快速傳遞出去。由于銅的導熱效果比較好，因此基板通常是用銅制成的，基板的厚度在3-8mm。當然也有其它材料的基板，例如：碳化硅鋁（AlSiC），兩者各有優(yōu)劣。

② DBC基板：DBC (Direct Bond Copper)，全稱為直接覆銅基板，也有文獻縮寫為：DCB（Direct Copper Bond），兩者是一個意思。DBC是一種陶瓷表面金屬化技術(shù)，一共包含3層，中間為陶瓷絕緣層，上下為覆銅層，如圖6a所示。簡單來講就是在一個絕緣材料的兩面覆上一層銅皮，然后在正面刻蝕出能夠走電流的圖形，背面要直接焊接在散熱基板上，因此就不需要刻蝕了。

圖6. DBC襯底和PCB對比
DBC的主要功能需要保證硅芯片和散熱基板之間的電氣絕緣能力以及良好的導熱能力，同時還要滿足一定的電流傳輸能力。DBC基板類似2層PCB電路板，PCB中間的絕緣材料一般為FR4，而DBC常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁（Al2O3）和氮化鋁（AlN）。
對于本文所分析的IGBT模塊，內(nèi)部有6個DBC，每個DBC上有4個IGBT芯片和2個Diode芯片，其中2個IGBT芯片和1個Diode芯片作為上管，剩下的作為下管，如圖7所示。

圖7. DBC平面圖和等效電路

③ IGBT芯片：模塊內(nèi)部采用的IGBT芯片型號為：IGCT136T170，手冊可以從英飛凌官網(wǎng)下載。圖8 為IGBT芯片的平面俯視圖和基本參數(shù)。IGBT的門極和發(fā)射極在芯片的上方（正面），集電極在下方（背面），芯片的厚度為200um。IGBT開通后，電流是從下至上流動的，因此也可以稱這種結(jié)構(gòu)的IGBT為縱向器件。

圖8. IGBT芯片平面圖和基本參數(shù)
如果把這200um的芯片上再縱向來一刀，就可以得到如圖9a所示的內(nèi)部結(jié)構(gòu)了，里面是由不同參雜的P型或N型半導體組合而成的。圖8b為我們熟知的IGBT等效電路，通常都將IGBT理解為一個MOS控制的PNP晶體管。在剛開始入門電力電子的時候總感覺這個圖有點別扭，為什么不把集電極畫在上面，發(fā)射極畫在下面，這樣也符合我們邏輯??！直到了解了IGBT電流是從下至上流動的，才恍然大悟，這可能也是最開始畫這個圖的人靈魂所在吧！

圖9. IGBT芯片結(jié)構(gòu)及等效電路
讓我們再稍微了解一下這顆IGBT芯片的電氣參數(shù)，這個芯片在100℃下，可通過直流電流為117.5A。由圖4可知，模塊內(nèi)部的單個IGBT器件一共包含12個IGBT芯片，因此總的電流為：117.5*12=1412A，與IGBT模塊手冊中的1400A額定電流基本一致。
為了保證IGBT芯片之間的均流效果，每個芯片柵極內(nèi)部已經(jīng)集成了11.5Ω的電阻。同時考慮到DBC之間的均流，每個DBC上的兩個芯片外部又共用了一個門極電阻，如圖10所示。用萬用表測量了一下，阻值大概為4.13Ω，感興趣的小伙伴可以結(jié)合圖10算一下，看看是否與IGBT模塊手冊的中的1.6Ω一致。
圖10. IGBT內(nèi)部等效電路
關(guān)于IGBT芯片更詳細的參數(shù)可以參考官方手冊。

④ Diode芯片：圖11為Diode芯片的平面俯視圖，正面為陽極，背面為陰極。二極管的電流方向是從上至下的，正好與IGBT的電流方向相反。Diode芯片額定電流為235A，每個IGBT由6個Diode并聯(lián)組成，總電流可達1410A，與模塊手冊中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度與IGBT一樣，也為200um。關(guān)于Diode芯片更詳細的參數(shù)可以參考官方手冊[2]。
圖11. Diode平面圖及基本參數(shù)
看到這里，你會不會驚嘆在面積這么小，而且這么薄的半導體材料上就可實現(xiàn)上kV電壓和上百A電流的開通和關(guān)斷，真了不起，這也是為什么大功率半導體器件價格都很昂貴的原因。

⑤ 鍵合線：IGBT芯片、Diode芯片以及DBC的上銅層互連一般采用鍵合線實現(xiàn)，常用的鍵合線有鋁線和銅線兩種，如圖12所示。其中鋁線鍵合工藝成熟、成本較低，但是鋁線鍵合的電氣、熱力學性能較差，膨脹系數(shù)失配大，影響IGBT使用壽命。而銅線鍵合工藝具有電氣、熱力學性能優(yōu)良等優(yōu)點，可靠性高，適用于高功率密度、高效散熱的模塊。

IGBT模塊內(nèi)部電流走向

04

對IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)有了基本了解后，讓我們回過頭來，把上面的所有部件互連起來，看看IGBT模塊內(nèi)部電流是怎么流動的。在這里我們以其中一個DBC中的上管IGBT為例說明電流的流向，紅色代表上管IGBT（S1和S2）電流方向，藍色代表二極管D1電流方向。圖13b為圖13a模塊的左視剖面圖及電流方向示意圖，感興趣的小伙伴可以畫畫下管IGBT的電流走向。

圖13. IGBT電流走向圖

如何拆解IGBT模塊

05

有些小伙伴可能好奇這個模塊是怎么拆開的，其實也很簡單，你只需要準備兩把螺絲刀和一個小錘子就可了。
第1步需要一個梅花螺絲刀把IGBT模塊底部的4個螺絲擰下來。第2步將IGBT模塊正面的所有端子采用平口螺絲刀撬開，這一步很關(guān)鍵，需要保證被撬開后的所有端子要與模塊基板保持垂直。第3步需要把IGBT固定在一個地方，或者找個人按住，用平口螺絲刀對準IGBT模塊塑封外殼與基板連接處的任意一個位置，用錘子敲擊螺絲刀，通過螺絲刀將外殼從基板撬開，撬開一個位置后，墊上東西，再去撬另外一個位置，就這樣，慢慢地都撬開后，找個力氣大的同學，用手直接扒開就可以了。

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