上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實現(xiàn)小規(guī)模試驗中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 預(yù)清潔可以實現(xiàn)
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.
數(shù)據(jù)來源: 美國 KRi 原廠資料

KRi 考夫曼離子源KDC 40 技術(shù)參數(shù)
上海伯東美國 KRi 小型低成本直流柵極離子源 KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層?xùn)艠O. 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 提供低濃度高能量寬束型離子束.

KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積.離子源KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 65 至 1200ev, 離子電流可以超過 140 mA.

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.