由于集成電路技術(shù)和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的迅猛進(jìn)步，非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器技術(shù)已經(jīng)日臻成熟，并且相關(guān)產(chǎn)品也開(kāi)始逐漸實(shí)現(xiàn)系列化。在學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的共同推動(dòng)下，非制冷紅外焦平面探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展速度加快，探測(cè)器的靈敏度顯著提高，像元間距持續(xù)縮小，陣列規(guī)格也在不斷擴(kuò)大。由于其低成本、小尺寸、低功耗易集成等優(yōu)點(diǎn)，非制冷紅外成像技術(shù)已經(jīng)在商業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的推廣和應(yīng)用。

非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器的工作原理

非制冷紅外焦平面探測(cè)器是一種能在-40℃到+70℃溫度范圍下工作，將目標(biāo)的紅外輻射轉(zhuǎn)換成電子視頻信號(hào)的成像傳感器。

非制冷紅外焦平面探測(cè)器是基于MEMS技術(shù)制造的微型傳感器，它由MEMS芯片、半導(dǎo)體制冷器、吸氣劑、窗口、管殼等部分組成。

紅外吸收層面可以高效地吸收外來(lái)的紅外輻射，引起溫度變化，從而改變熱敏薄膜的阻值，再將將微測(cè)輻射熱計(jì)陣列的電阻變化放大處理，轉(zhuǎn)換為視頻電信號(hào)并輸出。

非制冷紅外焦平面探測(cè)器的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)主要包括陣列規(guī)格、像元中心距、噪聲等效溫差（NETD）、工作幀頻、熱響應(yīng)時(shí)間等。其中，陣列規(guī)格可以表征圖像的分辨率。像元中心距與光學(xué)系統(tǒng)共同決定了成像系統(tǒng)的空間分辨率。在非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器的發(fā)展中，像元中心距已經(jīng)可以低至10微米。NETD是非制冷紅外焦平面陣列探測(cè)器最重要的性能指標(biāo)，它決定了紅外探測(cè)器的靈敏度。工作幀頻和熱響應(yīng)時(shí)間決定了運(yùn)動(dòng)目標(biāo)圖像的延遲。