對碳基化石燃料的日益依賴可能會對全球環(huán)境造成不可逆轉(zhuǎn)的損害?；跓o污染光伏發(fā)電技術(shù)的結(jié)晶硅有望在從碳到硅的發(fā)電轉(zhuǎn)型中發(fā)揮主導(dǎo)作用。由于硅晶片幾乎占光伏轉(zhuǎn)換成本的50%，因此較薄的晶片在降低生產(chǎn)成本方面非常有效。因此，迫切需要開發(fā)用于更薄硅晶片的替代器件配置和處理方法。硅片要經(jīng)過清洗工藝、減薄工藝、織構(gòu)化工藝和部分透明化工藝。在這項(xiàng)工作中，通過硅的光學(xué)傳輸被研究為晶片厚度的函數(shù)。為了提高性能，使用定制設(shè)計(jì)的后紅外（IR）透射測量系統(tǒng)測量了表面形態(tài)、光學(xué)性能和帶隙附近的光學(xué)透射。具有紋理表面的硅晶片比切割后的平面硅晶片具有更多的光吸收。

由于碳的消耗，燃料使用量的增加導(dǎo)致了環(huán)境的惡化。太陽能發(fā)電（PV）是一種新的發(fā)電技術(shù)，它將成為主要的能源，而能源的變化將是由太陽能引起的。一般情況下，太陽能發(fā)電的發(fā)電效率為50%，通過提高發(fā)電效率來提高效率。。因此，必須在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上，對水資源管理系統(tǒng)的配置進(jìn)行變更?？沙掷m(xù)發(fā)展必須通過發(fā)展進(jìn)程、提高進(jìn)程、技術(shù)進(jìn)程和技術(shù)分離進(jìn)程來實(shí)現(xiàn)。這是一個關(guān)于硅和光學(xué)材料的問題。通過采用紅外輻射防護(hù)系統(tǒng)，提高防護(hù)等級、防護(hù)等級和防護(hù)等級。

自過去十年以來，基于硅片的光伏模塊產(chǎn)量增長了30%以上。通常，硅的成本幾乎占光伏面板的50%。從歷史上看，降低成本的途徑已經(jīng)通過更薄襯底形式的Si的經(jīng)濟(jì)使用而實(shí)現(xiàn)；目前的硅晶片在150–200 m厚。硅光伏技術(shù)幾乎是基于單面太陽能電池的專有技術(shù)，其中光從前表面入射，背面完全金屬化。雙面太陽能電池是一種新興的太陽能電池配置，其中前表面和后表面上的電網(wǎng)圖案相同。這種設(shè)備配置有可能通過捕捉來自后表面的散射光產(chǎn)生比單面太陽能電池更多的功率。雙面太陽能電池中具有挑戰(zhàn)性的問題是確保在復(fù)合之前，在背面附近吸收的光生電子空穴對被正面發(fā)射器收集。該實(shí)驗(yàn)可以通過使用適當(dāng)?shù)谋砻婕y理方法來完成，可以增強(qiáng)光捕獲并吸收后紅外（NIR）。文獻(xiàn)中廣泛研究了具有不同表面形態(tài)和背面反射器的各種不同雙面配置的光學(xué)特性。盡管晶片厚度的減小轉(zhuǎn)化為較小的復(fù)合損耗和較大的開路電壓；吸收也減少了。

在70–80℃的溫度下，預(yù)計(jì)時(shí)間為1小時(shí)45分鐘。接下來，將測量IR傳輸數(shù)據(jù)。圖2（b）顯示了使用比例為1:10的HF:HNO3進(jìn)行蝕刻的過程。然后，將Si wafertextured浸入比例為1:10的HF∶HNO3溶液中1小時(shí)45分鐘。然后，對晶片進(jìn)行漂洗并用氮?dú)飧稍铩＜t外透射數(shù)據(jù)記錄在（600–1200）nm波長和25 nm亞波長之間。圖2（c）顯示了在200μm厚度的硅片上進(jìn)行膏狀黑色蝕刻表面（BES）膏狀工藝的工藝流程。接下來，對Si晶片進(jìn)行氧化處理。在1100℃的溫度下，估計(jì)產(chǎn)生接近350?的氧化層的時(shí)間為1小時(shí)30分鐘。然后將尺寸為4cm x 4cm的Si晶片切割。將EMD Chemicals Company生產(chǎn)的含有炭黑和n-甲基-2-吡咯烷酮的BES漿料放置在掩模上，同時(shí)將Si晶片放置在掩膜下。之后，將蝕刻后的硅晶片在350℃的爐中加熱90秒。接著，將硅晶片在1%的KOH中在40℃下浸泡1分鐘。將BES漿料從硅片上剝離后，將硅片置于10%KOH溶液中，在70℃下放置1小時(shí)15分鐘。然后，使用去離子（DI）水沖洗Si晶片，并用氮?dú)飧稍铩?/p>

基于圖3中描述的光學(xué)配置，開發(fā)了一個簡單的實(shí)驗(yàn)裝置，用于表征作為波長函數(shù)的近紅外透射。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于測量近紅外和遠(yuǎn)紅外（IR）范圍內(nèi)的光學(xué)傳輸系統(tǒng)，特別是波長。計(jì)算機(jī)控制的紅外單色儀用于在所需范圍內(nèi)改變波長。來自te單色儀的光譜可變光正常入射在被測樣品上（SUM）。來自總和的透射光被聚焦透鏡收集到InGaAs光電探測器上。光電探測器的輸出連接到一個鎖定放大器，該放大器連接到一臺計(jì)算機(jī)。用基于LABVIEW的計(jì)算機(jī)程序測量作為波長函數(shù)的強(qiáng)度變化。

審核編輯 黃宇