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IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS) 柵極的電壓進行控制。雖然第三代寬禁帶技術碳化硅正獲得越來越多的關注，但許多應用仍適合繼續(xù)使用IGBT，在技術的不斷發(fā)展和升級下，IGBT可實現更低的開關損耗和更高的功率密度。

作為智能電源和智能感知技術的市場領導者，安森美(onsemi)也推出多款超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關損耗，助力客戶的系統設計。一起來看看我們的推薦產品吧~

第7代1200V IGBT

安森美FGY75T120SWD正是采用新穎的第7代場截止IGBT和二極管技術，以及TP247三引腳封裝，性能極佳，開關損耗和導通損耗低，用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲能系統(ESS)等基建應用提供高能效。

這款新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出，其低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統成本。對于高功率能源基礎設施應用，FS7器件的正溫度系數使其能夠輕松實現并聯運行。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個優(yōu)化的二極管，實現低VF，減少開關損耗，可在高達175℃的結溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關性能領先市場現有1200V IGBT。經7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產品展現出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關應用如電機控制和固態(tài)繼電器進行了優(yōu)化。FGY100T120RWD在100 A時VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

掃碼獲取更多產品資料 新的IGBT功率集成模塊，I型，中性點鉗位(NPC)，Q2 Pack NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模塊是高密度的三電平NPC Q2 Pack集成電源模塊，這些電源模塊結合了高性能IGBT和堅固的反并聯二極管。NXH400N100H4Q2F2電源模塊具有場截止技術的高效溝槽IGBT和快速恢復二極管，低開關損耗降低了系統功耗，模塊設計提供了高功率密度。這些電源模塊具有低電感式布局、低封裝高度、最高結溫為175℃、最低結溫為-40℃的特點，是用于1500V太陽能逆變器和儲能系統的理想電源模塊。

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高性價比的IGBT，超場截止-1200 V，Power TO247

FGY60T120SQDN IGBT 采用堅固耐用、經濟高效的超場截止 (FS) 溝槽結構，能夠為要求苛刻的開關應用提供出色性能，提供低導通電壓，并最大限度降低開關損耗，非常適合于UPS和太陽能設備的應用。此外，該器件結合了一個軟性和快速的組合封裝續(xù)流二極管，具有低正向電壓。具體參數包括工作電壓1200V、工作電流60A以及功耗517瓦，采用TO-247-3封裝。

掃碼獲取更多產品資料 隔離型雙溝道IGBT柵極驅動器

NCD57252/3/5/6是大電流雙通道隔離IGBT柵極驅動器，從輸入到每個輸出的內部電隔離2.5或5 kVrms，兩個輸出通道之間也提供功能隔離。該器件在輸入端接受3.3 V至20 V的偏置電壓和信號電平，在輸出端接受高達32V的偏置電壓。

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