近日，睿創(chuàng)微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛(wèi)通相控陣平板天線子陣試驗樣機，實現(xiàn)了雙波束衛(wèi)星相控陣子陣的工程化突破。

雙波束控制的實現(xiàn)，使得終端設備可以更好地滿足與星座系統(tǒng)中多顆衛(wèi)星保持鏈接的需求，增強設備聯(lián)通效率，擴展網絡覆蓋，降低通信延遲。

△樣機暗室測試

△樣機實物圖

該子陣樣機已完成暗室校準測試工作，子陣設計為圓極化，通過對子陣垂直極化和水平極化的方向圖校準測試，合成圓極化方向圖。通過測試和校準軸比，達到了設計指標要求。

△天線子陣技術指標

△圓極化方位掃描方向圖

△19.1GHz 垂直/水平/圓極化H面掃描方向圖

△垂直/水平/圓極化 （法向）

此次突破的核心是采用睿創(chuàng)微納子公司芯揚聚陣研制的K波段8通道雙波束模擬相控陣接收芯片。該芯片在多通道、多波束、小尺寸、低功耗等方面實現(xiàn)了技術突破，性能已達到國內先進水平，為后續(xù)產品的研制開發(fā)奠定了堅實基礎。FA8261 K波段8通道

模擬相控陣接收芯片技術指標

接收通道路數(shù)：8路/線極化
輸出波束路數(shù)：2波束
信號頻率范圍：17.5~21.2GHz
溫度傳感器精度：±2.5°C
單路輸入P-1dB：-28dBm
單路增益：12~25.5dB可調
增益溫度穩(wěn)定性：±2dB@-45~125°C
帶內雜散：≤-70dBc
噪聲系數(shù)：≤4dB
移相范圍：360°
移相精度：5.625°
移相RMS誤差：≤2°
衰減范圍：0~15.5dB@0.5dB步進
RMS衰減精度：0.3dB
通道間相位一致性：≤5°
通道隔離度：≥30dB
控制接口：SPI
控制響應時間：1.5ns
工作電壓：2V
芯片功耗：0.41W/雙波束工作狀態(tài)

芯片尺寸：6.4mm×5.2mm

英飛睿是睿創(chuàng)微納全資子公司，業(yè)務主要布局微波T/R組件和相控陣天線子陣，具備完整的研發(fā)和生產能力?？上蚩蛻籼峁┫盗形⒉?、毫米波T/R組件和相控陣天線子陣產品，主要覆蓋X、Ku、K、Ka波段，可廣泛應用于相控陣雷達、衛(wèi)通地面終端、衛(wèi)星載荷及5G/6G NTN通信等領域。公司擁有T/R組件自動化制造與檢驗平臺、近遠場微波暗室等配套設施，目前批量產能可達20萬通道/年，核心技術自主可控，產品性能達到國內領先水平。 英飛睿將繼續(xù)加大衛(wèi)星通信領域的投入，積極參與產業(yè)建設，推進技術創(chuàng)新，以開放合作的態(tài)度，與更多伙伴一起攜手，共同推動行業(yè)蓬勃發(fā)展。

審核編輯：彭菁