一年一度的全球電子成就獎評選（World Electronics Achievement Awards)正在火熱進行中，該獎項旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導體！

采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)

同時兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，并提供業(yè)界領先的功率密度

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A) - PSC1065K20

將小尺寸、高效率與耐用性的優(yōu)點集于一身，可顯著降低系統(tǒng)復雜性

關鍵技術：

強大的線性模式性能可高效可靠地管理浪涌電流。當ASFET完全導通時，低RDS(on)可最大限度地降低I2R損耗。封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強SOA技術與前幾代D2PAK封裝相比還實現(xiàn)了10% SOA性能改進（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 兩種型號，兼顧低RDS(on)和強大線性模式性能，非常適合進的電信和計算設備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動應用。與前幾代產(chǎn)品相比具有增強的SOA、數(shù)據(jù)手冊中提供了經(jīng)過全面測試的高溫下SOA曲線，以及節(jié)省空間的尺寸，為熱插拔和計算應用提供了優(yōu)化的解決方案，提供了業(yè)界領先的功率密度改進。

此外，另一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-80SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應計算服務器和其他工業(yè)應用中使用48 V電源軌的增長趨勢，在這些應用中，環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。

應用場景：

“熱插拔”和“軟啟動”系統(tǒng)中的浪涌管理；48V 電信和以太網(wǎng)供電 PoE 系統(tǒng)；12V計算服務器系統(tǒng)；電子保險絲和電池管理系統(tǒng)

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A)

關鍵技術：

合并PIN（MPS） 碳化硅肖特基二極管

產(chǎn)品優(yōu)勢:

具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并PIN肖特基(MPS)二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優(yōu)勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的效率。

采用真2引腳(R2P) TO-220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P and D2PAK R2P)和采用真2引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達175°C的高壓應用中增強可靠性。

應用領域:

該工業(yè)級器件可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能

審核編輯：彭菁