意法半導體推出新系列IGBT晶體管
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效，相關參數(shù)十分出色，例如，飽和電壓 Vce(sat)很低，確保器件在導通狀態(tài)下耗散功率很低。續(xù)流二極管的壓降很低，關斷電能得到優(yōu)化，讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關準諧振轉換器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐變性和能效，非常適合電磁加熱設備，包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中，意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。
此外， Vce(sat) 具有正溫度系數(shù)效應，器件之間緊密的參數(shù)分布有助于簡化設計，并輕松并聯(lián)多個 IGBT管，以滿足高功率應用需求。
該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 現(xiàn)已量產(chǎn)，采用標準 TO-247 長引線功率封裝。
審核編輯：湯梓紅
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目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術
第4章?PN結和金屬半導體結
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
發(fā)表于 07-12 16:18
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