日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢

jf_52490301 ? 來源:jf_52490301 ? 作者:jf_52490301 ? 2023-10-12 17:29 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵快充技術(shù)的普及,絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已,更重要的是,在芯片層面,氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家,產(chǎn)品類型多樣,主控芯片品牌超過十個,使后續(xù)的氮化鎵快充市場多元化。開發(fā)開辟了最關(guān)鍵的一環(huán)。

1. 氮化鎵快速充電市場規(guī)模。
氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,其運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍。Si)技術(shù),并能夠在尖端的快速充電器產(chǎn)品中使用時提供三倍以上的功率,可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能,在尺寸相同的情況下,輸出功率增加了三倍。
正是由于這些性能優(yōu)勢,使得氮化鎵在消費類快充源極市場得到廣泛應(yīng)用。充電頭網(wǎng)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,目前已有數(shù)十家主流電源廠商開發(fā)了氮化鎵快充產(chǎn)品線,并陸續(xù)推出了數(shù)百款氮化鎵快充新品。眾多知名手機/筆記本品牌如華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等。已經(jīng)陸續(xù)進入游戲,而蘋果也已經(jīng)推出了氮化鎵快速充電。

2. 氮化鎵控制器的分類。
通過調(diào)研了解到,目前市面上的氮化鎵控制器按照不同的分類規(guī)則,可以分為不同的類型。如按照芯片的集成程度,可以分為分立式氮化鎵控制器和封裝式氮化鎵控制儀兩種類型。根據(jù)拓撲結(jié)構(gòu),可分為三種主流類型:LLC、ACF和QR。
分立式氮化鎵控制器:這類控制器在市場上應(yīng)用非常廣泛,其中最經(jīng)典的代表是安森美半導(dǎo)體NCP1342與此同時,隨著半導(dǎo)體國產(chǎn)化的趨勢,不少本土功率芯片企業(yè)也紛紛研發(fā)出氮化鎵控制器。與NCP1342相比,它們還采用了內(nèi)置驅(qū)動器設(shè)計,可直接驅(qū)動氮化鎵功率器件。事實上,一個更精簡的外圍設(shè)計可以在應(yīng)用中實現(xiàn)。

KT65C1R200D內(nèi)置650V/200mΩGaN HE MT、邏輯控制器、GaN驅(qū)動器和高壓啟動管。它采用反激模式,并在DFN8x8mm封裝。輸出功率為45W,最大工作頻率為150KHz。
與傳統(tǒng)的控制器+驅(qū)動器+GaN電路相比,KT65C1R200D只需要一個芯片就可以完成原來三個芯片可以完成的功能,電源系統(tǒng)設(shè)計更加簡化。同時,東科DKG045Q還具有多種工作模式,可降低待機功耗,提高輕載效率。芯片還內(nèi)置完整的保護功能,增加系統(tǒng)可靠性。

氮化鎵快速充電是未來消費電源市場發(fā)展的趨勢,現(xiàn)已進入商業(yè)快車道。它在USB PD領(lǐng)域大放異彩快速充電的來源和市場規(guī)模正在迅速擴大。這一方面體現(xiàn)在進入氮化鎵快充市場的終端品牌數(shù)量和成品氮化鎵快充產(chǎn)品數(shù)量的持續(xù)增加。另一方面,也體現(xiàn)在越來越多的氮化鎵功率器件制造商和氮化鎵控制器制造商進入市場。

KeepTops KT65C1R200D作為氮化鎵快充的核心部件,GaN控制器已經(jīng)成為各個電源芯片廠商的重中之重。從本次系統(tǒng)總結(jié)中也可以看出,除了眾多國際一線品牌,本土的功率芯片廠商也開始在氮化鎵快充領(lǐng)域發(fā)力,推出性價比極高的產(chǎn)品服務(wù)市場。多元化發(fā)展提供了豐富的解決方案。
隨著眾多氮化鎵控制芯片廠商的進入,各類氮化鎵快充控制器類型將進一步完善,有利于避免產(chǎn)品同質(zhì)化,促進市場健康發(fā)展。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54463

    瀏覽量

    469644
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31279

    瀏覽量

    266754
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1916

    瀏覽量

    120169
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    從替代到必需:氮化正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

    的電源系統(tǒng)。它不再只是“更好的替代品”,而正在成為下一代電源設(shè)計的“必需品”。一、氮化VS硅傳統(tǒng)電源芯片的核心材料是硅,它已經(jīng)服務(wù)了電子
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:36 ?1843次閱讀
    從替代到必需:<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少?

    內(nèi)置氮化成主流?AHB技術(shù)你又了解多少? 在快充充電器等應(yīng)用中,非對稱半橋(AHB)拓撲憑借高效率、低EMI等優(yōu)勢,正受到越來越多工程師的青睞。 AHB 本質(zhì)上是在傳統(tǒng)反激思路上進一步優(yōu)化而來
    發(fā)表于 04-18 10:35

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器

    CHA6154-99F三級單片氮化(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三級單片氮化
    發(fā)表于 02-04 08:56

    DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術(shù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 11-24 16:47 ?2次下載

    GaN(氮化)與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號

    中的性能差異源于材料物理特性,具體優(yōu)劣勢如下: 1. GaN(氮化)功放芯片 優(yōu)勢: 功率密度高:GaN 的擊穿電場強度(3.3 MV/c
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:23 ?5170次閱讀

    請問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    京東方華燦淺談氮化材料與技術(shù)發(fā)展

    近日,應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請,在行業(yè)目光聚焦之際,京東方華燦多位專家圍繞氮化材料與技術(shù)展開深度分享,為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍圖。其中,京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-14 15:31 ?3312次閱讀

    淺談氮化器件的制造難點

    制造氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)具有一定難度,這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?5049次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件的制造難點

    氮化快充芯片U8725AHE的工作原理

    氮化充電器的高功率密度,能在很小的體積里給出更高的功率,所以氮化充電器個頭更小,重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效,能量損失也少,充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的
    的頭像 發(fā)表于 07-18 16:08 ?3360次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充<b class='flag-5'>芯片</b>U8725AHE的工作原理

    氮化電源芯片U8722BAS的特性

    炎熱的夏天,總是需要一些沖散酷暑的小電器,給生活制造驚喜??蛻糇罱鼰豳u的制冷杯,被稱為夏日“行走的小冰箱”,受到了許多上班族和戶外一族的喜愛,充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化電源芯片。今天就帶你一起看看
    的頭像 發(fā)表于 07-05 15:25 ?3795次閱讀

    氮化器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    氮化(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?1808次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件在高頻應(yīng)用中的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    氮化電源芯片U8722CAS打嗝模式實現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

    氮化電源芯片U8722CAS打嗝模式實現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護機制(如短路保護),優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯片設(shè)計、封裝工藝及PCB布局綜合
    的頭像 發(fā)表于 06-12 15:46 ?1238次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>電源<b class='flag-5'>芯片</b>U8722CAS打嗝模式實現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

    氮化GaN快充芯片U8732的特點

    充電器都能輕松應(yīng)對,一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持,今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化GaN快充芯片U8732!
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:21 ?1215次閱讀

    PD 20W氮化單電壓應(yīng)用方案概述

    深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化快充芯片U8722A
    的頭像 發(fā)表于 05-09 16:46 ?1855次閱讀
    PD 20W<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>單電壓應(yīng)用方案概述

    65W全壓氮化快充芯片U8766介紹

    在65W氮化快充設(shè)計中,輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化快充
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:30 ?1538次閱讀
    汶上县| 大英县| 林口县| 金华市| 特克斯县| 抚远县| 双桥区| 阿合奇县| 沙雅县| 芦山县| 乌审旗| 佛学| 德兴市| 朝阳县| 荆州市| 缙云县| 瑞昌市| 儋州市| 开鲁县| 丹阳市| 沙洋县| 平塘县| 高邮市| 凤台县| 阜宁县| 大余县| 浮梁县| 鄯善县| 金华市| 乾安县| 枣强县| 千阳县| 玉树县| 环江| 呈贡县| 蓬莱市| 肥东县| 廊坊市| 莱西市| 临沧市| 永城市|