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北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-10-25 14:51 ? 次閱讀
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近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會(huì)”在濟(jì)南召開。大會(huì)技術(shù)委員會(huì)委員北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學(xué)唐為華教授率領(lǐng)鎵和半導(dǎo)體核心團(tuán)隊(duì)亮相會(huì)場。唐為華教授做題為《氧化鎵光電器件研究進(jìn)展》分會(huì)邀請報(bào)告、主持大會(huì)特邀報(bào)告、并作為特邀嘉賓參加“兩岸學(xué)人共話鎵業(yè)嘉賓論壇”。

作為論壇嘉賓,唐為華教授基于自身多年在氧化鎵材料和相關(guān)器件研究及產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和理性思考,著重圍繞氧化鎵材料、氧化鎵功率器件、氧化鎵光電器件等主題進(jìn)行了廣泛交流和深度探討,同時(shí)就業(yè)內(nèi)專家學(xué)者以及投資人等共同關(guān)注的專題,包括氧化鎵襯底與外延、氧化鎵器件及應(yīng)用、氧化鎵產(chǎn)業(yè)化等領(lǐng)域所涉痛點(diǎn)、難點(diǎn)等進(jìn)行了坦誠互動(dòng)和深入對話。深度剖析與解讀目前氧化鎵研究及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀及未來方向。

在鎵和半導(dǎo)體展臺(tái)上,現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸(100)(001)(-201)三種晶面單晶襯底,UID和摻Sn,以及4英寸100面單晶襯底等樣品實(shí)物,形成體系化格局,供參會(huì)人員參觀和體驗(yàn),展臺(tái)前匯聚大批會(huì)議代表咨詢交流以及尋求合作,展示了鎵和半導(dǎo)體氧化鎵產(chǎn)品的領(lǐng)先優(yōu)勢。公司及其產(chǎn)品受到廣大專家學(xué)者和各相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈從業(yè)人士的高度關(guān)注。

在開幕式招待晚宴上,鎵和半導(dǎo)體總經(jīng)理助理吳岳先生正式宣布:北京鎵和在國內(nèi)首次發(fā)布4英寸(100)面氧化鎵單晶襯底參數(shù),并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);同時(shí)宣布該公司已經(jīng)完全具備提供“多規(guī)格氧化鎵單晶產(chǎn)品;多規(guī)格氧化鎵外延產(chǎn)品;多用途氧化鎵專用設(shè)備;定制化樣品及技術(shù)服務(wù)”能力。這是國內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)里程碑式的重大進(jìn)展!

鎵和半導(dǎo)體總經(jīng)理助理吳岳先生正式發(fā)布4英寸(100)面氧化鎵單晶襯底參數(shù),并實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)

鎵和半導(dǎo)體已經(jīng)完全具備提供“多規(guī)格氧化鎵單晶產(chǎn)品

鎵和半導(dǎo)體4英寸氧化鎵(100)襯底規(guī)格參數(shù)

北京鎵和半導(dǎo)體有限公司是專業(yè)從事氧化鎵材料、相關(guān)器件的研發(fā)及其應(yīng)用的高科技企業(yè)。研發(fā)生產(chǎn)高質(zhì)量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設(shè)備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件等氧化鎵系列高科技產(chǎn)品。公司擁有氧化鎵單晶襯底、外延,器件、以及專用裝備等方面的核心技術(shù),在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域具有獨(dú)創(chuàng)性、引領(lǐng)性和影響力,屬國內(nèi)第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的引領(lǐng)企業(yè),是中關(guān)村高新科技企業(yè)。

該公司團(tuán)隊(duì)立志“四代創(chuàng)芯,鎵和先行”,秉承“突破封鎖,獨(dú)立自主,踔厲奮發(fā),篤行不怠,干在實(shí)處,走在前列”信念,意圖在技術(shù)突破、產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)充、人才引進(jìn)、應(yīng)用布局等關(guān)鍵環(huán)節(jié)上謀篇布局厚積薄發(fā),為大尺寸氧化鎵襯底及外延國產(chǎn)化提速升級(jí),為我國第四代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控和全面發(fā)展做出應(yīng)有貢獻(xiàn)。

“一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)”,“四代創(chuàng)芯,鎵和先行”。鎵和半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)將圍繞本次大會(huì)主題“修身 齊鎵 創(chuàng)未來”,以促進(jìn)第四代超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展為己任,堅(jiān)持“戰(zhàn)略性、緊迫性、獨(dú)特性、開創(chuàng)性、引領(lǐng)性”的產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)思路,獨(dú)立自主突破封鎖,敢于創(chuàng)新勇立潮頭,為第四代半導(dǎo)體未來穩(wěn)健發(fā)展的產(chǎn)業(yè)鏈成長和生態(tài)圈豐富做出積極探索和應(yīng)有貢獻(xiàn)。

IFWS&SSLCHINA:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體繼往開來進(jìn)入新的發(fā)展階段,人工智能、數(shù)字信息時(shí)代將為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來動(dòng)態(tài)且多樣復(fù)雜的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。新科技時(shí)代背景下,第三代半導(dǎo)體將迎來更廣闊的發(fā)展前景,國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭正盛。第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日在廈門國際會(huì)議中心召開。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:鎵和半導(dǎo)體展出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次發(fā)布4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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