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直播回顧 | 寬禁帶半導體材料及功率半導體器件測試

泰克科技 ? 來源:未知 ? 2023-11-03 12:10 ? 次閱讀
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寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見,典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),這些半導體材料也稱為第三代半導體材料。

寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導體照明、新一代移動通信智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣闊的應用前景。

寬禁帶半導體材料的表征,以載流子濃度及載流子遷移率為主,此外, 電阻率測試也很重要。

寬禁帶半導體材料測試難點在于

寬禁半導體帶材料的帶隙較大,擊穿電場較高。需要上千伏高壓進行測試。

寬禁帶半導體材料是高流器件的制備材料,需要用到幾十安培的高流進行測試。

四線法及霍爾效應測試均是加流測壓的過程,需要設備能輸出電流并且測試電壓。

電阻率及電子遷移率通常范圍較大,需要電流電壓范圍都很大的設備。

電流源和電壓表精度要高,保證測試的準確性。

本次講座主要內(nèi)容

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