唐山晶玉榮獲2023-2024年度全國(guó)第三代半導(dǎo)體“最佳新銳企業(yè)”
2023年10月25日 - 2023全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國(guó)際酒店四樓會(huì)議廳隆重開幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
會(huì)議期間，評(píng)選出32家2023-2024年度最佳新銳企業(yè)。
全國(guó)第三代半導(dǎo)體年度最佳新銳企業(yè)評(píng)選活動(dòng)，旨在發(fā)掘和支持我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的創(chuàng)新型企業(yè)，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31292瀏覽量
266840
原文標(biāo)題：恭喜！唐山晶玉榮獲，2023-2024年度全國(guó)第三代半導(dǎo)體“最佳新銳企業(yè)”
文章出處：【微信號(hào)：today_semicon，微信公眾號(hào)：今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅 VS 氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然而，兩者雖同屬寬禁帶半導(dǎo)體，卻在材料特性
高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中的精準(zhǔn)測(cè)量
高頻交直流電流探頭克服磁飽和問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng)，適用于第三代半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試，提升電流測(cè)量精度與效率。
晶能半導(dǎo)體榮獲縱慧芯光2025年度最佳交付支持獎(jiǎng)
近日，晶能光電子公司晶能半導(dǎo)體榮獲國(guó)內(nèi)VCSEL激光芯片龍頭企業(yè)——縱慧芯光頒發(fā)“最佳交付支持獎(jiǎng)
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的肖特基二極管和碳化硅mos管的生產(chǎn)技術(shù)，開啟了在
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
青禾晶元常溫鍵合方案，破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題
關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)
2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
評(píng)論