美國西德克薩斯州法院陪審員12月5日公布的判決中稱，歐洲芯片制造企業(yè)st.半導體因侵犯一項晶體管技術專利，應向普渡大學賠償3250萬美元。

該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。

意法半導體的一位發(fā)言人說該公司將對判決提出上訴。普渡大學的律師Michael Shore表示，對意法半導體不利的證據(jù)是“壓倒性的”，到2026年為止，將需要支付1億美元以上的專利使用費。

據(jù)悉，mosfet主要用于電子產品。在2021年，普渡起訴mosfet侵犯了太陽能冷暖房系統(tǒng)、汽車充電站和其他可再生能源產品的兩項晶體管技術專利。

普渡大學的專利是一項用于高電壓電力應用的半導體和mosfet技術創(chuàng)新，由普渡大學的前教授James Cooper和他的學生asmita saha申請。