中國臺(tái)灣地區(qū)國家科學(xué)委員會(huì)于12月5日公布了22項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù)清單，覆蓋國防、農(nóng)業(yè)、半導(dǎo)體、太空和資通安全等五大領(lǐng)域。其中，最引人關(guān)注的是將14nm以下晶圓制造工藝以及涉及的關(guān)鍵耗材、異質(zhì)整合/硅光子整合封裝等半導(dǎo)體技術(shù)列為受管控的項(xiàng)目。

中國臺(tái)灣地區(qū)宣布，未來受當(dāng)?shù)匦姓块T資助到達(dá)一定基準(zhǔn)的關(guān)鍵技術(shù)涉密人員，前往中國大陸需申請(qǐng)?jiān)S可；而“一定基準(zhǔn)”指的是資助經(jīng)費(fèi)超過50%的核心關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。此舉適用于申請(qǐng)的產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)等研究人員，未來如需赴中國大陸，須提前報(bào)備并經(jīng)審查獲得許可。

就目前情況而言，聯(lián)電在大陸的業(yè)務(wù)以22nm和28nm制程為主，而臺(tái)積電南京廠的主力制程則為16/28nm，其中以28nm為主要制程。

據(jù)中國臺(tái)灣地區(qū)去年頒布的“安全法”規(guī)定，盜取核心關(guān)鍵技術(shù)的犯罪者最高可判處12年有期徒刑，罰金可以按犯罪所得的利益進(jìn)行加倍處罰。

全球各國目前普遍將半導(dǎo)體視為重要的戰(zhàn)略物資和產(chǎn)業(yè)。鑒此，臺(tái)灣必須明確其自身的核心關(guān)鍵技術(shù)，并實(shí)施相應(yīng)的刑事處罰和罰金，以避免技術(shù)外流的風(fēng)險(xiǎn)。此次臺(tái)灣發(fā)布新規(guī)也旨在防止中國大陸企業(yè)對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體人才的挖角行為，尤其是考慮到中國大陸目前受到美國芯片禁令的制約，因此中國臺(tái)灣地區(qū)也需走自主可控的發(fā)展道路。

審核編輯：黃飛