IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。

650V IGBT的晶胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化

上圖是我們?nèi)鹉?50V IGBT的晶胞結(jié)構(gòu)，為了提高產(chǎn)品性能我們做了諸多優(yōu)化，主要體現(xiàn)在：

正面結(jié)構(gòu)

1優(yōu)化柵極布局來(lái)降低柵極電荷

2采用載流子存儲(chǔ)效應(yīng)來(lái)改善Vcesat

3增加了鎮(zhèn)流電阻，平滑開(kāi)關(guān)波形，防止在使用過(guò)程中的波形震蕩

背面結(jié)構(gòu)

1背面結(jié)構(gòu)中優(yōu)化FS(場(chǎng)截止)層，降低電場(chǎng)應(yīng)力，來(lái)提高產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度及增強(qiáng)產(chǎn)品的魯棒性

2背面結(jié)構(gòu)采用先進(jìn)的薄片技術(shù)，能夠有效降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗

左右滑動(dòng)查看更多

從上圖幾個(gè)關(guān)鍵的性能上的參數(shù)可以看出瑞能650V IGBT采用優(yōu)化后的結(jié)構(gòu)性能有了飛躍的提升，主要體現(xiàn)在Vcesat 更低、Qg更小、開(kāi)關(guān)損耗更低。

這些也就意味著瑞能的650V IGBT在客戶使用過(guò)程中損耗更小，效率更高，更有利于客戶的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。

650V IGBT的性能定位

與全球領(lǐng)先的650V IGBT供應(yīng)商產(chǎn)品相比，瑞能的650V器件具有類似甚至更好的權(quán)衡性能。

650V IGBT在PFC應(yīng)用中的性能驗(yàn)證

操作條件：

?Vin=220V(ac)&50Hz

?Po=3KW, Vout=320V(dc)

?Lb=500uH

?Fs=72kHz, Tc=100oC

?Vge=+15/0V, Rg=10ohm

在PFC應(yīng)用中,瑞能650V 50A產(chǎn)品比競(jìng)品具有更好的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通損耗和熱性能。

IGBT產(chǎn)品一覽

審核編輯：湯梓紅