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一款針對(duì)高端點(diǎn)電流檢測的芯片——FP135絲印BWXXX

莫莫不墨跡 ? 來源:jf_44486135 ? 作者:jf_44486135 ? 2024-01-02 14:52 ? 次閱讀
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今天在市場上發(fā)現(xiàn)了一款很有意思的電流檢測芯片,和傳統(tǒng)意義上的電流檢測芯片所不一樣的是,它的檢測方式有所不同。它的名字叫做高端點(diǎn)電流檢測芯片F(xiàn)P135,絲印是BWXXX,是臺(tái)灣遠(yuǎn)翔所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的一款電流檢測IC。

wKgaomWTssWANy5AAAEIKKaXDK8157.jpg高端點(diǎn)電流檢測芯片F(xiàn)P135

對(duì)于大部分應(yīng)用,都是通過感測電阻兩端的壓降測量電流。

wKgZomWTssWAZAnYAAAi5Kbl6EA139.jpg

一般使用電流通過時(shí)的壓降為數(shù)十mV~數(shù)百mV的電阻值,電流檢測用低電阻器使用數(shù)Ω以下的較小電阻值;測量電流時(shí), 通常會(huì)將電阻放在電路中的兩個(gè)位置。

第一個(gè)位置是放在電源與負(fù)載之間。這種測量方法稱為高側(cè)電流感測。

通常放置感測電阻的第二個(gè)位置是放在負(fù)載和接地端之間。這種電流感測方法稱為低側(cè)電流感測。

wKgaomWTssWAEDNjAADO6taWtYs305.jpg

兩種測量方法各有利弊,低邊電阻在接地通路中增加了不希望的額外阻抗;

采用高側(cè)電阻的電路必須承受相對(duì)較大的共模信號(hào)

低側(cè)電流測量的優(yōu)點(diǎn)之一是共模電壓, 即測量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設(shè)計(jì)應(yīng)用電路, 也便于選擇適合這種測量的器件。

低側(cè)電流感測電路測得的電壓接近于地, 在處理非常高的電壓時(shí)、 或者在電源電壓可能易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應(yīng)用中, 優(yōu)先選擇這種方法測量電流。

由于低側(cè)電流感測能夠抗高壓尖峰干擾, 并能監(jiān)測高壓系統(tǒng)中的電流。

wKgZomWTssaAQQgOAADpH_-dqMI828.jpg高端點(diǎn)電流檢測芯片F(xiàn)P135

負(fù)載電流(IS)從電源流出,并在感測電阻(RS)處產(chǎn)生電壓差(VIN+ - VIN-)。假設(shè)內(nèi)部MOSFET漏電流與源電流(IO)相同,且VIP非常接近,則FP135傳遞函

數(shù)為:

(VIN+ - VIN-)等于IS×RS,輸出電壓(OUT)等于IO x RL。本應(yīng)用中高端點(diǎn)電流測量的最終傳遞函數(shù)為:

需要注意的是:

(RG1=RG2)必須小于或等于1KΩ,這可以減少輸出偏差。

VCC、VIP和VIN的最小工作電壓為3.3V。如果這些電源電壓低于3.3V,則FP135輸出處的傳遞函數(shù)就不再適用。

VIP和VIN之間的最大電壓差為±6V。如果(VIP-VIN)超過±6V,則會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。

電容器不能從VIP腳和VIN腳接地。

當(dāng)感應(yīng)電阻(RS)發(fā)生瞬態(tài)電壓時(shí),集成電路將改變源電流(IO)改為輸出端,并在輸出端產(chǎn)生電壓變化,RC電路將在輸出更改期間延遲一段時(shí)間。下圖顯示了FP135一種延遲轉(zhuǎn)換時(shí)間的簡單方法。

wKgaomWTssaAHTjMAACDs7rIXLo729.jpg高端點(diǎn)電流檢測芯片F(xiàn)P135

FP135電流檢測芯片PCB圖:

wKgZomWTsseAK7HTAADktOT-Enc099.jpg高端點(diǎn)電流檢測芯片F(xiàn)P135

其他的電流偵測芯片料號(hào)參考:

wKgaomWTsseAR2RSAAUK18I5HHw224.jpg電流檢測IC

wKgZomWTssiAJcNFAAHlXpX3GCk799.jpg臺(tái)灣遠(yuǎn)翔

深圳市雅欣控制技術(shù)有限公司,在芯片行業(yè)深耕二十載。是Feeling和MST在深圳的一級(jí)代理商。致力于推廣銷售電源管理芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片和霍爾開關(guān)系列產(chǎn)品,為您提供最優(yōu)化的解決方案、最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及咨詢服務(wù)。

審核編輯 黃宇

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