根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線。濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學(xué)藥液和去離子水，對晶圓表面進行無損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質(zhì)，可同時采用超聲波清洗、加熱、真空等輔助技術(shù)手段;干法清洗是指不使用化學(xué)溶劑的清洗技術(shù)，主要包括等離子清洗、超臨界氣相清洗、束流清洗等技術(shù)。干法清洗主要是采用氣態(tài)的氫氟酸刻蝕不規(guī)則分布的有結(jié)構(gòu)的晶圓二氧化硅層，雖然具有對不同薄膜有高選擇比的優(yōu)點，但可清洗污染物比較單一，目前在 28nm 及以下技術(shù)節(jié)點的邏輯產(chǎn)品和存儲產(chǎn)品有應(yīng)用晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結(jié)合的方式互補所短，構(gòu)建清洗方案。未來清洗設(shè)備的濕法工藝與干法工藝仍將并存發(fā)展，均在各自領(lǐng)域內(nèi)向技術(shù)節(jié)點更先進、功能多樣化、體積小、效率高、能耗低等方向發(fā)展，在短期內(nèi)濕法工藝和干法工藝無相互替代的趨勢。目前濕法清洗是主流的清洗技術(shù)路線，占芯片制造清洗步驟數(shù)量的 90%以上。

主要用于槽式清洗設(shè)備，將待清洗晶圓放入溶液中浸泡，通過溶液與晶圓表面及雜質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)達(dá)到去除污染物的目的。應(yīng)用廣泛，針對不同的雜質(zhì)可圓上的化學(xué)品消耗少;容易造選用不同的化學(xué)藥液:產(chǎn)能高，同時可進行多片晶圓浸泡工藝:成本低，分?jǐn)傇诿科С删A之間的交叉污染。

二流體清洗法：

去離子水SC-1溶液。去離子水等，一種精細(xì)化的水氣二流體霧化噴嘴，在噴嘴的兩端分別通入液體介質(zhì)和高純氮氣，使用高純氮氣為動力，輔助液體微霧化成極微細(xì)的液體粒子被噴射至晶圓表面，從而達(dá)到去除顆粒的效果。清洗效率高，廣泛用于輔助顆粒去除的清洗步驟中:對精細(xì)晶圓圖形結(jié)構(gòu)有損傷的風(fēng)險，且對小尺寸顆粒去除能力不足。

超聲波清洗法：

化學(xué)溶劑加超聲波輔助清洗，在25-40KHz 頻率超聲波下清洗，內(nèi)部產(chǎn)生空腔泡，泡消失時將表面雜質(zhì)解吸。能清除晶圓表面附著的大塊污染和顆粒:易造成晶圓圖形結(jié)構(gòu)損傷。需根據(jù)清洗工藝要求選擇合適的超聲波清洗頻率。

兆聲波清洗法：

化學(xué)溶劑加兆聲波輔助清洗，與

超聲波清洗

類似，但用1-3MHZ工藝頻率的兆聲波清洗機。對小顆粒去除效果優(yōu)越，在高深寬比結(jié)構(gòu)清洗中優(yōu)勢明顯精確控制空穴氣泡后，

兆聲波清洗機

也可應(yīng)用于精細(xì)晶圓圖形結(jié)構(gòu)的清洗;造價較高。

旋轉(zhuǎn)噴淋清洗法：
高壓噴淋去離子水或清洗液，清洗腔室配置轉(zhuǎn)盤，可一次裝載至少兩個晶圓盒，在旋轉(zhuǎn)過程中通過液體噴柱不斷向圓片表面噴淋液體去除圓片表面雜質(zhì)。與傳統(tǒng)的槽式清洗相比，化學(xué)藥液的使用量更低;機臺占地面積小;化學(xué)藥液之間存在交叉污染風(fēng)險，若單一晶圓產(chǎn)生碎片，整個清洗腔室內(nèi)所有晶圓均有報廢風(fēng)險。