如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家一般使用的均為通用SRAM空間，這部分SRAM使用的時候沒有限制，作為堆棧、變量、DMA使用等都可以，但TCMSRAM一般不使用，有的時候可能會被大家遺忘，如果大家碰到SRAM資源不足的時候，可以看看是否有TCMSRAM沒有用到，如果沒有用到，可以參考下本視頻將TCMSRAM使用起來，你將會多出64KB的SRAM空間。

而TCMSRAM如何使用呢？TCMSRAM為緊耦合SRAM，該SRAM僅可被M4內(nèi)核訪問，因而該TCMSRAM空間不能被外設比如DMA訪問，TCMSRAM與處理器內(nèi)核直連，具有更快的訪問速度和更低的訪問延遲，可以用于加速關(guān)鍵任務的執(zhí)行，提高系統(tǒng)的實時性能和響應速度。

使用TCMSRAM可以使用分散加載的方式，將需要放置到TCMSRAM中的變量手動加載到TCMSRAM中，具體有以下兩種方法：

直接通過 __attribute__加載到TCMSRAM中，如下所示。

uint32_t TX_Data[5] __attribute__((at(0x10000000)))={0};

通過修改SCT文件，并將變量分散加載到對應的段中，如下所示。

代碼中的操作如下： uint32_t TX_Data[5] __attribute__((section(".bss.RAM_Array")))={0}; SCT文件中的配置如下： LR_IROM1 0x08000000 0x00300000 { ; load region size_region ER_IROM1 0x08000000 0x00300000 { ; load address = execution address *.o (RESET, +First) *(InRoot$$Sections) .ANY (+RO) .ANY (+XO) } RW_IRAM1 0x20000000 0x00020000 { ; RW data .ANY (+RW +ZI) } RW_IRAM2 0x10000000 0x00010000 { main.o(.bss.RAM_Array) } }

。