4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)開(kāi)幕。九峰山實(shí)驗(yàn)室主任丁琪超在開(kāi)幕式上向全球來(lái)賓推介實(shí)驗(yàn)室，他介紹，九峰山實(shí)驗(yàn)室定位于“化合物半導(dǎo)體研發(fā)和創(chuàng)新平臺(tái)”，以開(kāi)放、公共、共享的價(jià)值觀，服務(wù)于全產(chǎn)業(yè)鏈和科研界。同時(shí)，他帶來(lái)了第一張8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這也是全球范圍內(nèi)目前集成度最高的光電芯片。

從“窄”到“寬”具備全鏈條研發(fā)能力

丁琪超介紹，實(shí)驗(yàn)室搭建了豐富的化合物半導(dǎo)體材料體系，可以支撐從“窄禁帶”“寬禁帶”到“超寬禁帶”半導(dǎo)體一系列工藝研發(fā)過(guò)程，同時(shí)也布局了如鈮酸鋰材料、PZT材料等特色的功能性材料。

丁琪超介紹，團(tuán)隊(duì)通過(guò)一年半到兩年時(shí)間進(jìn)行建設(shè)和工藝制成調(diào)試，已全線貫通7條特色工藝線，每條工業(yè)線具備小批量產(chǎn)能，支撐科研和技術(shù)在平臺(tái)研發(fā)后可以快速進(jìn)行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)。

丁琪超介紹，實(shí)驗(yàn)室投資4億元，同步建設(shè)了一個(gè)先進(jìn)的檢測(cè)分析平臺(tái)，已具備比較先進(jìn)的芯片檢測(cè)能力。去年以來(lái)，這塊業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)，為全國(guó)20多個(gè)省市的企業(yè)和單位提供了服務(wù)。

“異質(zhì)集成”能力做到全球一流

丁琪超重點(diǎn)介紹了實(shí)驗(yàn)室的6個(gè)技術(shù)能力體系。如實(shí)驗(yàn)室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”，能通過(guò)8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢(shì)特性，集成相關(guān)芯片。所以我們基本上實(shí)現(xiàn)8英寸硅基薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成技術(shù)。他還展示了8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這也是全球范圍內(nèi)目前集成度最高的光電芯片。

在“化合物外延”這一技術(shù)能力構(gòu)建中，實(shí)驗(yàn)室已建設(shè)3000平方米外延中心，涵蓋了非常豐富的設(shè)備種類體系；在“集成微波無(wú)源器件”這一技術(shù)能力構(gòu)建中，實(shí)驗(yàn)室通過(guò)人工智能最新的一些建模技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了非常豐富的無(wú)源基于硅基射頻電路模型，精度達(dá)到小于2%誤差；在介紹“碳化硅（SiC）溝槽”技術(shù)能力時(shí)，他表示，實(shí)驗(yàn)室從初期就布局溝槽型SIC技術(shù)能力，持續(xù)攻克關(guān)鍵難點(diǎn)工藝，例如可實(shí)現(xiàn)3μmm以上超深結(jié)構(gòu)刻蝕。他還現(xiàn)場(chǎng)展示了昨天剛下線的新版本的碳化硅MOSFET器件。

丁琪超介紹，針對(duì)異質(zhì)集成實(shí)驗(yàn)室一直認(rèn)為的未來(lái)重點(diǎn)發(fā)展方向，九峰山實(shí)驗(yàn)室將持續(xù)推出基于異質(zhì)集成相應(yīng)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)和突破。同時(shí)，實(shí)驗(yàn)室還發(fā)布了五個(gè)開(kāi)放式基金課題，期待與更多同仁一起合作，一起推進(jìn)相應(yīng)的技術(shù)開(kāi)發(fā)。

審核編輯：黃飛