據(jù)最新消息，深圳基本半導體有限公司近日獲得一項名為“功率模塊、封裝結構及電子設備” 的新型專利，其編號為 CN117276226B，公示日期為 2024 年 4 月 16 日，提交日期為 2023 年 11 月 1 日。

該專利主要涉及半導體技術領域，提出了一種全新的功率模塊、封裝結構以及電子設備設計方案。其中，功率模塊由絕緣基板和半橋結構組成，半橋結構包含相互間隔的第一負載軌道、第二負載軌道、第一直流負極區(qū)域和第二直流負極區(qū)域。第一負載軌道由第一上橋臂區(qū)域、直流正極區(qū)域和第二上橋臂區(qū)域依次相連而成；第二負載軌道則由第一下橋臂區(qū)域、交流區(qū)域和第二下橋臂區(qū)域依次相連而成。值得注意的是，第一下橋臂區(qū)域位于第一直流負極區(qū)域與交流區(qū)域之間，第二下橋臂區(qū)域則位于第二直流負極區(qū)域與交流區(qū)域之間。