隨著可穿戴設(shè)備及微型可穿戴設(shè)備的普及，行業(yè)面臨的一大挑戰(zhàn)是如何將這些設(shè)備所需的眾多功能集成至極其有限的電路板空間中。例如，智能手表可能擁有較多功能，但當(dāng)我們對(duì)比耳塞乃至智能珠寶時(shí)，它們的可用空間就顯得更為重要。為此，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有了新的選擇：采用微型（0.63 x 0.33 x 0.25 mm）小信號(hào) MOSFET，這一方案有助于節(jié)省寶貴的電路板空間并降低電池消耗。

通過(guò)DFN解決方案提升空間效率

在設(shè)計(jì)可穿戴設(shè)備和智能珠寶時(shí)，空間限制顯然非常關(guān)鍵。只需看一下一對(duì)無(wú)線耳塞上可用的 PCB 空間。雖然大多數(shù)功能來(lái)自嵌入式軟件功能，但仍有許多硬件需要集成到最終設(shè)計(jì)中：從麥克風(fēng)和揚(yáng)聲器到用于藍(lán)牙通信的射頻組件。這意味著基本功能面臨更大的設(shè)計(jì)壓力，需要盡可能小地占用空間。

Nexperia DFN0603 MOSFET 的小尺寸是非常有競(jìng)爭(zhēng)力的，在許多其他方面也展現(xiàn)出了其真正的優(yōu)勢(shì)。該 MOSFET 在 VGS 系列 4.5 V 條件下，RDS(on)的典型值低至 122 mΩ，在某些情況下比市售的 DFN0604 產(chǎn)品低大約 74%。RDS(on)的顯著降低意味著即使在更高的開(kāi)關(guān)頻率下，也能為高效開(kāi)關(guān)帶來(lái)幫助。

鑒于 Nexperia 在微型封裝開(kāi)發(fā)方面的領(lǐng)先地位，將成熟的 DFN0603 封裝用于小信號(hào) MOSFET 是向前邁出的明顯一步，也是市場(chǎng)上較小的 DFN 封裝 MOSFET，具有同類最佳的 RDS(on) 性能。

目前除了提供出色的導(dǎo)熱性能外，Nexperia 還能夠?qū)㈧o電放電（ESD）保護(hù)嵌入到該系列的某些產(chǎn)品中，從而為這種微型解決方案提供了額外的靈活性。

審核編輯：劉清