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Microchip推出基于Arm? Cortex?-M0+的32位耐輻射單片機SAMD21RT

Excelpoint世健 ? 2024-05-29 08:23 ? 次閱讀
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太空探索正迎來復蘇期,一系列令人興奮的新任務相繼展開,如備受期待的Artemis II(阿爾忒彌斯二號計劃)、JAXA SLIM 和 Chandaaryan-3成功登月以及New Space在近地軌道 (LEO)進行新部署。設計人員需要符合嚴格的輻射和可靠性標準的電子元件,以滿足在惡劣太空環(huán)境中工作的要求。Microchip Technology(微芯科技公司)宣布推出新款耐輻射32位單片機SAMD21RT。該產品基于耐輻射(RT)Arm Cortex-M0+技術,采用64引腳陶瓷和塑料封裝,具備128 KB閃存和16 KB SRAM。

SAMD21RT專為對尺寸和重量要求極高的空間受限應用而設計,基底面積僅為10 mm × 10 mm。SAMD21RT運行頻率高達48 MHz,可為惡劣環(huán)境提供高性能處理能力。該器件集成了模擬功能,包括多達20路通道的模數(shù)轉換器ADC)、數(shù)模轉換器DAC) 和模擬比較器。

SAMD21RT器件基于Microchip廣泛應用于工業(yè)和汽車市場的現(xiàn)有SAMD21 MCU 系列。該器件還采用商用現(xiàn)貨(COTS)技術,在過渡到耐輻射器件時,由于設計保持引腳兼容,可大大簡化設計過程。Microchip 為空間應用提供了全面的系統(tǒng)解決方案,可圍繞 SAMD21RT 單片機設計多種器件,包括 FPGA、電源和分立器件、存儲器產品、通信接口以及各種規(guī)格的振蕩器。

為了承受包括輻射和極端溫度在內的惡劣環(huán)境,SAMD21RT可在?40°C至125°C的溫度范圍內工作,并具有高水平的輻射耐受性,總電離劑量(TID)能力高達50 krad,單次事件閂鎖 (SEL)抗擾度高達 78 MeV.cm2/mg。

Microchip負責航空航天與防御業(yè)務部的副總裁Bob Vampola表示:“與我們合作的優(yōu)勢在于,我們擁有相應的歷史、知識和能力,可在公司內部完成耐輻射器件的設計和測試。我們將繼續(xù)引入以太網人工智能機器學習等在商業(yè)和工業(yè)市場發(fā)展起來的新技術,并利用輻射性能對其進行改進,以滿足太空任務的需求。我們還將繼續(xù)提供更高的計算性能,并將更新的技術集成到更小的封裝中,減輕重量和尺寸?!?/p>

SAMD21RT 功耗低,具有空閑和待機休眠模式以及sleepwalking外設等功能。其他外設包括一個12通道直接存儲器訪問控制器DMAC)、一個 12 通道事件系統(tǒng)、各種控制定時器/計數(shù)器 (TCC)、一個32位實時計數(shù)器 (RTC)、一個看門狗定時器 (WDT) 和一個 USB 2.0 接口通信選項包括串行通信 (SERCOM)、I2C、SPI 和 LIN。

Microchip擁有數(shù)以萬計的在軌部件,一直是太空探索歷史的重要組成部分,對今天和未來的太空任務至關重要。作為Artemis計劃的一部分,Microchip 的產品正在飛往月球的途中,并為太空發(fā)射系統(tǒng)、獵戶座飛船、月球門戶空間站、月球著陸器和下一代宇航服的成功研制貢獻力量。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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