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莫大康:若7nm EUV禁運(yùn),中國半導(dǎo)體怎么辦?

莫大康 ? 來源:互聯(lián)網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2017-11-23 14:41 ? 次閱讀
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近日見到一文“7nm大戰(zhàn)在即買不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦?”。


受“瓦圣納條約“的限止,今天中國即便有錢想買EUV光刻機(jī)也不可能,此話是事實(shí),不是危言聳聽。但是也不必?fù)?dān)心,因?yàn)橹挥泄に囍瞥踢_(dá)到7納米及以下時(shí)才會(huì)使用EUV光刻機(jī)。


對于這樣的現(xiàn)狀,首先心態(tài)要放正確。西方繼續(xù)壓制中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步,這個(gè)政策在相當(dāng)長時(shí)間內(nèi)還會(huì)持續(xù)下去。然而時(shí)代在改變,雙方都有一定的依賴性,因此是一場力量的搏奕。如果自身缺乏足夠強(qiáng)大的力量,那就會(huì)喪失爭辯的余地。


01.芯片設(shè)計(jì)業(yè)走在前列

現(xiàn)階段中國的IC 設(shè)計(jì)業(yè)肯定走在前列,如海思的Kirin 970,它將是華為第一款采用 10 納米制程技術(shù)的手機(jī)芯片,而且將繼續(xù)由晶園代工龍頭臺(tái)積電來進(jìn)行代工,預(yù)計(jì)將可能在 2017 年底前問世。所以從中國的芯片設(shè)計(jì)業(yè)角度,一定需要去思考7納米及以下的進(jìn)程。


另外從IC研發(fā)角度,對于7納米及以下的工藝制程,由于周期很長,現(xiàn)在啟步也很有必要,但是研發(fā)與量產(chǎn)是兩個(gè)不同的階段,差異很大,也并非一定要用EUV光刻,用電子束光刻也同樣可以。電子束光刻的問題不是精度不夠,而是速度太慢,每小時(shí)才10片硅片左右。

但是現(xiàn)階段中國芯片制造業(yè)的龍頭企業(yè)中芯國際,它的量產(chǎn)制程能力是28納米,幾乎差了三代。因此假設(shè)有一天臺(tái)積電不讓海思代工,而海思也找不到其它的候補(bǔ)者,如三星,英特爾,或者格羅方德等,那么情況是嚴(yán)峻的,但也沒有什么可怕,事情真逼到這一刻,或許會(huì)促進(jìn)中芯國際等更加倍的努力。

02.研發(fā)與制造不一樣

僅從IC研發(fā)角度,中國半導(dǎo)體業(yè)從理性上至少要提前量產(chǎn)水平的兩代或者以上,決定于有經(jīng)費(fèi)的支持,及具備有相應(yīng)的人材條件等。

然而對于建造芯片制造生產(chǎn)線,它由市場,技術(shù)及人材與競爭對手等條件來決定,需要作市場可行性的論證。

顯然還有一個(gè)最關(guān)鍵的因素,建一條7納米芯片生產(chǎn)線,月產(chǎn)能40,000片大約需要近80億美元,如果考量它的投資回報(bào)率ROI,此等決定要非常的謹(jǐn)慎。

因此,未來中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展,從研發(fā)角度,10納米,7納米等都可以,提早布局也應(yīng)該,然而對于興建芯片生產(chǎn)線,至少在近時(shí)期內(nèi),可能14納米工藝制程是一個(gè)務(wù)實(shí)的目標(biāo)。

03.要爭氣,要迅速的自強(qiáng),否則永遠(yuǎn)抬不起頭

因此現(xiàn)階段中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展要作好兩手的準(zhǔn)備:

一個(gè)方面是繼續(xù)改革開放,引進(jìn)先進(jìn)制程技術(shù)與加強(qiáng)研發(fā),力求共同發(fā)展與共享成果;

另一方面是要作好”萬一”發(fā)生時(shí)的各種應(yīng)對”預(yù)案”。

任何時(shí)候要樹立足夠的信心,回顧上世紀(jì)70-80年代,西方實(shí)行嚴(yán)格的禁運(yùn)策略,更多的半導(dǎo)體設(shè)備都不允許進(jìn)入中國,可那時(shí)的中國半導(dǎo)體業(yè)不僅沒有趴下,反而取得不少的成績。

現(xiàn)在的時(shí)代己經(jīng)改變,”你中有我,我中有你”與”合則雙贏,斗則雙輸”,這個(gè)道理其實(shí)是雙方都心知肚明,關(guān)鍵是中國半導(dǎo)體業(yè)要爭氣,要迅速的自強(qiáng),否則永遠(yuǎn)會(huì)抬不起頭。

西方的策略也不再是鐵板一塊,如近期展訊的手機(jī)芯片在英特爾代工,采用先進(jìn)的14納米工藝平臺(tái),下一階段在它的Zane Ball的工藝圖譜上還包括10納米、及7納米制程。

總之,按照中國芯片制造業(yè)的現(xiàn)狀,離7納米制程量產(chǎn)可能尚有些遠(yuǎn)。而且EUV光刻的配套設(shè)備與材料也十分復(fù)雜,包括光源,光刻膠,掩膜(mask),中間掩膜(reticle),及缺陷檢查儀等。因此可以說化1億美元馬上去購買1臺(tái)EUV光刻機(jī),可能并非完全有必要,而且它的耗電量也十分驚人。

事情總是“有所為,有所不為”,在許多情況下“什么事不為”往往是很難下決心?,F(xiàn)階段對于中國的芯片制造業(yè)最緊迫的任務(wù)是擴(kuò)大28納米的全球市占率,以及加速14納米與以下制程的研發(fā)進(jìn)程。

如果真到那個(gè)時(shí)刻,中國的IC設(shè)計(jì)芯片找不到地方可以代工,恐怕”壞事會(huì)變成好事”,會(huì)更加促進(jìn)如中芯國際等公司的急起直追。

雖然“資本與技術(shù)兩個(gè)輪子”推動(dòng)著中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步,但是現(xiàn)階段明顯是技術(shù)輪子要小很多,而資本的輪子大,也表示孕育著更大的風(fēng)險(xiǎn)。

所以“有所為,有所不為”的策略選擇,尤其是要迅速的加大技術(shù)輪子的力度,加強(qiáng)研發(fā)的進(jìn)程,對于中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展是格外的迫不及待。

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