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芯導(dǎo)科技GaN/SiC電源產(chǎn)品推薦

芯導(dǎo)科技Prisemi ? 來(lái)源:芯導(dǎo)科技Prisemi ? 2024-11-19 09:36 ? 次閱讀
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智能時(shí)代,人們對(duì)電源的需求充溢著生活的方方面面。隨著人工智能和生成式AI的發(fā)展,小到幾十瓦的PD充電頭,大到數(shù)百瓦、上千瓦的工業(yè)電源及服務(wù)器電源,在全球能源變革的過(guò)程中都扮演著一定角色。

據(jù)統(tǒng)計(jì),與傳統(tǒng)搜索引擎(如百度、谷歌、360)相比,AI互動(dòng)式搜索(如ChatGPT、豆包、文心一言)的耗電量在前者的6到10倍之間。生成式AI正在為更多的行業(yè)帶來(lái)前所未有的改變。

智能手機(jī)屏幕越做越大,耗電速度也越來(lái)越快,PD充電已從20W,發(fā)展到120W、140W,安卓手機(jī)廠商們致力于將充電時(shí)長(zhǎng)縮短再縮短,將續(xù)航時(shí)間延長(zhǎng)再延長(zhǎng)。

為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更低的發(fā)熱、更強(qiáng)的穩(wěn)定性,用第三代半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅產(chǎn)品替代傳統(tǒng)硅器件已成為電源行業(yè)的一大趨勢(shì)。

隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能上漲、市場(chǎng)驗(yàn)證過(guò)關(guān),性價(jià)比逐步提升,相關(guān)產(chǎn)品也被更多行業(yè)和客戶所接受,成為高品質(zhì)的代名詞,走進(jìn)千家萬(wàn)戶。

芯導(dǎo)科技能夠?yàn)椴煌β识坞娫葱枨筇峁┖wGaN、SiC、MOSFET、ESD產(chǎn)品的綜合選型方案,適用于各種應(yīng)用。

20-45W合封氮化鎵PD電源方案

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65W 氮化鎵PD電源方案

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100-140W GaN/SiC PD電源方案

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500W GaN/SiC工業(yè)電源方案

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企業(yè)介紹

上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司(Prisemi)專注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售,總部位于上海市張江科學(xué)城。

公司于2009年成立,至今已獲國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)、“上海市規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)集成電路企業(yè)”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“上海市科技小巨人企業(yè)”、“浦東新區(qū)重點(diǎn)研發(fā)機(jī)構(gòu)”、“五大大中華創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)公司”、“十大最佳國(guó)產(chǎn)芯片廠商”、“上海市三星級(jí)誠(chéng)信創(chuàng)建企業(yè)”等榮譽(yù)資質(zhì),并已擁有百余項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司已在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,股票簡(jiǎn)稱"芯導(dǎo)科技",股票代碼為688230.SH。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC(鋰電池充電管理 IC、OVP過(guò)壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動(dòng)與控制IC、DC/DC電源IC等)以及功率器件(ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等)的開發(fā)及應(yīng)用。公司在深耕國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí),積極拓展海外市場(chǎng),目前產(chǎn)品已遠(yuǎn)銷歐美日韓及東南亞等國(guó)家與地區(qū),廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、儲(chǔ)能、汽車電子、光伏逆變器等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品推薦 | 你想要的各功率段GaN/SiC電源產(chǎn)品選型來(lái)了~

文章出處:【微信號(hào):Prisemi,微信公眾號(hào):芯導(dǎo)科技Prisemi】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    <b class='flag-5'>GaN</b>與<b class='flag-5'>SiC</b>功率器件深度解析
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