01

背景介紹

功率密度的提高和電子器件小型化的趨勢導(dǎo)致集成電路（ICs）的功耗和熱流密度的增加。這種激增會影響IC的性能、可靠性和使用壽命，對其操作完整性構(gòu)成嚴(yán)重威脅。因此，集成電路向更小型化、增強集成度、降低能耗和提高性能的發(fā)展受到現(xiàn)有熱管理技術(shù)效率低下的嚴(yán)重阻礙。傳統(tǒng)的冷卻解決方案，如空氣冷卻、液體冷卻和散熱器涂層，盡管在早期的IC技術(shù)中提供了熱緩解，但由于其高成本、低導(dǎo)熱效率、熱膨脹問題以及對環(huán)境的影響，現(xiàn)在已經(jīng)不足。這些挑戰(zhàn)強調(diào)了對更有效的熱管理解決方案的迫切需要，以支持集成電路的未來發(fā)展。

新興的熱管理技術(shù)，包括微通道冷卻、熱電冷卻、先進的熱界面材料、壓電泵驅(qū)動的微流體冷卻和三維集成封裝冷卻，為解決集成電路發(fā)展中的熱瓶頸提供了有前途的途徑。

02

成果掠影

近日，中國科學(xué)院金屬研究所孫東明團隊發(fā)文首先回顧和總結(jié)了集成電路熱管理的基本理論和傳統(tǒng)技術(shù)，然后詳細(xì)介紹了近年來出現(xiàn)的熱管理新技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，提出了傳統(tǒng)技術(shù)與創(chuàng)新技術(shù)相結(jié)合的熱管理策略。通過理論分析和實驗驗證，對該策略的性能進行了綜合評價。通過多維度的比較，它闡明了新的熱管理解決方案在滿足集成電路不斷發(fā)展的需求方面的優(yōu)越功效。此外，它還深入探討了未來的研究方向，并闡明了該領(lǐng)域面臨的主要挑戰(zhàn)。研究成果以“Research on Novel Thermal ManagementTechnology in the Field of Integrated Circuits”為題發(fā)表在《IEEE》期刊。

03

圖文導(dǎo)讀

圖1.氮化鎵器件在砷化硼冷卻基底上的深電位多尺度模擬；b不確定性下的流形微通道散熱器優(yōu)化設(shè)計；c一種用于電子元件高熱流密度兩相冷卻的層次化流形微通道散熱陣列；d多元微通道內(nèi)單相流動和傳熱的“2.5-D”建模方法。

圖2.a 4.8 × 2.5 cm2 70μm厚焊點涂覆cu平面散熱器照片b制備的層狀細(xì)胞和局部閉孔結(jié)構(gòu)氣凝膠（lca）作為隔熱材料的模擬及與其他氣凝膠材料的綜合性能比較b c共同設(shè)計的微流體冷卻電子器件示意圖b b d EC片上冷水機及其工作原理圖和快照。

圖3.a . VSCG網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計概念，b . VSCG/PDMS復(fù)合材料的合成路線；c .液滴狀和多孔狀Ga/PDMS復(fù)合材料的概念原理圖。

圖4. Mishra等采用的熱分析方法。

圖5.傳統(tǒng)方法與創(chuàng)新技術(shù)相結(jié)合的多維熱管理策略流程圖。