日前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式搬入。

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，廠房建設(shè)一般主要分為四個(gè)階段：設(shè)備選型、設(shè)備搬入、工藝驗(yàn)證及產(chǎn)品通線。

2023年8月25日，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢新城；7天后，項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè)。今年6月，主體結(jié)構(gòu)全面封頂。從打下第一根樁到實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂，廠房建設(shè)耗時(shí)不到10個(gè)月，創(chuàng)造了百億級(jí)投資項(xiàng)目建設(shè)新速度。

本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，將為武漢基地構(gòu)建全鏈條生產(chǎn)能力、加速通線量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)根基。

JINGYANG

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