近日，在存儲器解決方案領(lǐng)域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實力，宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這一新型4F2 DRAM技術(shù)，結(jié)合了高導(dǎo)通電流與超低關(guān)斷電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管，標志著DRAM技術(shù)的一大進步。

2024年12月9日，在加州舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上，Kioxia首次公布了這一技術(shù)突破。據(jù)悉，OCTRAM技術(shù)是Kioxia與Nanya Technology共同研發(fā)的成果。

OCTRAM技術(shù)的核心在于InGaZnO晶體管的超低泄漏特性，這一特性為實現(xiàn)低功耗DRAM提供了可能。隨著AI、后5G通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的快速發(fā)展，對低功耗存儲器的需求日益迫切。OCTRAM技術(shù)的出現(xiàn)，有望為這些應(yīng)用帶來顯著的功耗降低，從而推動相關(guān)領(lǐng)域的進一步發(fā)展。

作為存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Kioxia此次的技術(shù)創(chuàng)新再次證明了其在DRAM領(lǐng)域的深厚底蘊和持續(xù)創(chuàng)新能力。未來，隨著OCTRAM技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用推廣，我們有理由相信，它將為更多領(lǐng)域帶來革命性的變化，推動整個半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)進步。