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薛其坤院士領(lǐng)銜團(tuán)隊實現(xiàn)高溫超導(dǎo)領(lǐng)域重大新突破

DT半導(dǎo)體 ? 來源:DT半導(dǎo)體 ? 2025-02-19 11:39 ? 次閱讀
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【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月18日,南方科技大學(xué)舉行的高溫超導(dǎo)研究重大成果發(fā)布會上,由國家最高科學(xué)技術(shù)獎獲得者薛其坤院士領(lǐng)銜的南方科技大學(xué)、粵港澳大灣區(qū)量子科學(xué)中心與清華大學(xué)聯(lián)合研究團(tuán)隊,發(fā)現(xiàn)常壓下鎳氧化物的高溫超導(dǎo)電性,為解決高溫超導(dǎo)機理的科學(xué)難題提供了全新突破口。相關(guān)研究成果發(fā)表在《自然》雜志上。

超導(dǎo)類似于電力高速公路上的“零能耗跑車”,電流通過時不會產(chǎn)生能量損耗,被廣泛認(rèn)為具有顛覆性的技術(shù)前景。自1911年超導(dǎo)現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn)后,尋找在常壓下突破40開爾文(K)“麥克米蘭極限”的更高溫度的超導(dǎo)材料,成為國際科學(xué)界重要研究方向之一。

由薛其坤院士與南方科技大學(xué)物理系副教授陳卓昱率領(lǐng)的研究團(tuán)隊通過持續(xù)攻關(guān),自主研發(fā)出“強氧化原子逐層外延”技術(shù)。該技術(shù)能夠在氧化能力比傳統(tǒng)方法強上萬倍的條件下,實現(xiàn)原子層的精確逐層生長,并精準(zhǔn)控制化學(xué)配比。研究團(tuán)隊通過這種在納米尺度“搭原子積木”的方式,成功構(gòu)建出結(jié)構(gòu)復(fù)雜、熱力學(xué)亞穩(wěn)、但晶體質(zhì)量趨于完美的氧化物薄膜。

研究團(tuán)隊將該技術(shù)應(yīng)用于鎳基超導(dǎo)材料的開發(fā)后,在原子級平滑的基片之上,精確排列鎳、氧等原子,構(gòu)建出厚度僅幾納米的超薄膜。團(tuán)隊還在極強氧化環(huán)境下,通過界面工程,實現(xiàn)“原子鉚釘術(shù)”,固定住了原本需要極高壓環(huán)境下才能穩(wěn)定存在的原子結(jié)構(gòu)。

薛其坤院士介紹,這是氧化物薄膜外延生長技術(shù)的一次重大跨越,不僅為包括寬禁帶半導(dǎo)體等各類氧化物的缺氧難題提供了解決方案,還拓展了高溫超導(dǎo)等強關(guān)聯(lián)電子系統(tǒng)的人工設(shè)計與制備。

該研究成果在常壓環(huán)境下實現(xiàn)了鎳氧化物材料的高溫超導(dǎo)電性,使鎳基材料成為繼銅基、鐵基之后,第三類在常壓下突破40開爾文(K)“麥克米蘭極限”的高溫超導(dǎo)材料體系。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

原文標(biāo)題:薛其坤院士領(lǐng)銜!高溫超導(dǎo)重大新突破!

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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