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超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性

銀聯(lián)寶科技 ? 2025-02-20 16:37 ? 次閱讀
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#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#

在全負載范圍內(nèi),相比傳統(tǒng)功率器件,超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時,在空載狀態(tài)下,U8621的低功耗特性得以體現(xiàn),滿足了六級能效標準,有效避免了能源的無謂消耗,對于電子設備的應用而言,是非常值得推薦的一顆芯片!

01

電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優(yōu)點。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內(nèi)的離線式反激開關變換器,滿足VI級能效標準。U8621采用SOP-8并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果。

02

電源管理芯片U8621引腳名稱:

1 GND 芯片內(nèi)部電路電位基準引腳

2 VCC 芯片內(nèi)部電路供電引腳

3 FB 輸出反饋輸腳,芯片 PWM 輸出的頻率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 電感峰值電流采樣輸入引腳

5、6、7、8 PD 內(nèi)置高壓功率 MOS 的漏極

03

電源管理芯片U8621根據(jù)FB腳電平自動匹配工作模式,當FB電平低于1.1V時,芯片進入打嗝工作模式,此模式下芯片工作頻率為25KHz,最小導通時間為1.2uS;當FB電平低于1.7V時,芯片進入變頻模式,此模式下芯片工作頻率在25K-65K變動,驅(qū)動高電平時間由FB和CS電平控制;當FB電平大于3.7V時,芯片進入恒功率模式,此時芯片工作頻率為65KHz,PWM占空比由對應的VOCP控制。

04

電源管理芯片U8621具備恒功率輸出模式,當FB腳電平大于3.7V以后,芯片PWM占空比由CS引腳電平對應的VOCP來控制,為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi)的恒功率性能,對VOCP值根據(jù)占空比進行補償。U8621采用專用的抖頻技術,在中心頻率的±5%范圍內(nèi)隨機選擇工作頻率,使得電源系統(tǒng)的電磁兼容性能得到最大化的應用!

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