概述

HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC349AMS8G高隔離度、非反射、GaAs、SPDT開關(guān)，100MHz至4GHz技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
• 無線基礎(chǔ)設(shè)施
• 移動無線電
• 測試設(shè)備
  特性
• 非反射式50 ?設(shè)計
• 高隔離度：57 dB至2 GHz
• 低插入損耗：0.9 dB至2 GHz
• 高輸入線性度
  • 1 dB功率壓縮(P1dB)：34 dBm（典型值）
  • 三階交調(diào)截點(IP3)：52 dBm（典型值）
• 高功率處理
  • 33.5 dBm（通過路徑）
  • 26.5 dBm端接路徑 單正電源：3 V至5 V
• CMOS/TTL兼容控制
• 全部關(guān)斷狀態(tài)控制
• 帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)

框圖

引腳配置

接口示意圖

典型性能特征

HMC349AMS8G使用4層評估板。每層銅的厚度為0.5盎司(0.7密耳)。頂部電介質(zhì)材料為10密耳Rogers RO4350，可提供良好的高頻性能，而中間和底部電介質(zhì)材料為FR-4型材料，以實現(xiàn)62密耳的整體板厚。所有RF和dc走線都布設(shè)在頂層銅層上，而內(nèi)層和底層是接地層，為RF傳輸線提供堅實的接地。RF傳輸線采用共面波導(dǎo)(CPWG)模型設(shè)計，寬度為16密耳，接地間距為13密耳，特性阻抗為50歐姆。為了實現(xiàn)良好的RF和熱接地，盡可能多的鍍通孔應(yīng)布置在傳輸線周圍和封裝裸露焊盤下方。

圖18顯示了ADI公司的18 shows the評估板的俯視圖(請參考訂購指南)。封裝接地引腳直接連接到接地層，接地層連接到GND測試點(TP1和TP5)。一個電源端口連接到標有VDD (TP2)的直流測試點。一個未使用的旁路電容位置可用于濾除電源走線上的高頻噪聲。兩個控制端口連接到CTRL和EN測試點(TP3和TP4)。射頻端口連接到RFC、RF1和RF2連接器(J1、JBOY3樂隊和J2 ),它們是PC安裝的SMA射頻連接器。此外，100 pF隔直電容(C1、C2、C3)用于射頻傳輸線上。連接未安裝的射頻連接器(J4和J5)的直通傳輸線也可用于測量和消除PCB的損耗。