TPS53625 器件是一款無人驅動、完全符合 SVID 標準的 VR12.0 降壓控制器。先進的控制功能，如具有重疊脈沖的 D-CAP+ 架構，支持下沖減少 （USR） 和過沖減少 （OSR），可提供快速瞬態(tài)響應、最低輸出電容和高效率。TPS53625 器件還支持在 CCM 或 DCM 模式下進行單相作，以實現(xiàn)輕負載效率。TPS53625 設備集成了完整的 VR12.0 I/O 功能，包括 VR_READY （PGOOD）、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許從 0 到 7 進行編程。V 的可調(diào)控制外轉換速率和電壓定位完善了 VR12.0 的功能。該解決方案與 TPS51604 FET 柵極驅動器配合使用，可提供極高的速度和低開關損耗。TPS53625 器件可與選定的 TI 功率級產(chǎn)品以及 DrMOS 產(chǎn)品配合使用，以實現(xiàn)最佳效率。TPS53625器件的默認引導電壓為 1 V。應用可以通過在設計中加入外部電阻分壓器來覆蓋默認引導電壓。TPS53625器件封裝是一種節(jié)省空間的熱增強型 32 引腳 VQFN 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。
*附件：TPS53625 Short 數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 符合 VR12.0 串行 VID （SVID） 標準
• 1 相或 2 相作
• 支持零負載和非零負載線路應用
• 8 位 DAC 輸出范圍：0.25 V 至 1.52 V
• 優(yōu)化了輕負載和重負載下的效率
• 8 個獨立的過沖減少 （OSR） 和下沖減少 （USR） 級別
• 無驅動器配置，實現(xiàn)高效的高頻開關
• 支持分立、Power Block、Power Stage 或 DrMOS MOSFET 實現(xiàn)
• 準確、可調(diào)的電壓定位
• 300 kHz 至 1 MHz 頻率選擇
• 獲得專利的 AutoBalance 相位平衡
• 可選 8 級電流限制
• 4.5V 至 28V 轉換電壓范圍
• 小型 4 mm × 4 mm、32 引腳 VQFN PowerPAD? 集成電路封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS53625
• ?類型?：2相D-CAP+?降壓控制器
• ?應用?：VR12.0 V CPU核心內(nèi)存
• ?特點?：
  • VR12.0串行VID（SVID）兼容
  • 支持1相或2相操作
  • 支持零負載和非零負載線路應用
  • 8位DAC輸出范圍：0.25 V至1.52 V
  • 優(yōu)化輕載和重載效率
  • 8級過沖減少（OSR）和下沖減少（USR）
  • 無驅動器配置，支持高頻高效切換
  • 支持離散、Power Block、Power Stage或DrMOS MOSFET實現(xiàn)
  • 精確、可調(diào)電壓定位
  • 頻率選擇：300 kHz至1 MHz
  • 專利AutoBalance相位平衡
  • 可選8級電流限制
  • 轉換電壓范圍：4.5 V至28 V
  • 小型4 mm × 4 mm 32引腳VQFN PowerPAD?集成電路封裝

2. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：VQFN（32）
• ?尺寸?：4.00 mm × 4.00 mm

3. 主要特性

• ?高級控制功能?：D-CAP+架構，支持重疊脈沖，具有USR和OSR功能，提供快速瞬態(tài)響應、低輸出電容和高效率。
• ?VR12.0 I/O功能?：集成VR_READY（PGOOD）、ALERT和VR_HOT。
• ?SVID接口?：允許從0到7的編程。
• ?電壓定位?：可調(diào)VOUT上升率和電壓定位，完善VR12.0功能。
• ?高效切換?：與TPS51604 FET柵極驅動器配合使用，實現(xiàn)高速和低切換損耗。
• ?熱增強封裝?：空間節(jié)省型、熱增強型32引腳VQFN封裝，工作溫度范圍-40°C至105°C。

4. 應用領域

• 核心內(nèi)存供電

5. 設計支持

• 提供簡化的原理圖示例。
• 支持TI E2E?支持論壇，提供快速驗證的答案和設計幫助。