關(guān)鍵型IFF和航空電子應(yīng)用的信號完整性和范圍得到大幅提升。

中國，北京 – 2018年3月21日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管--- QPD1025。QPD1025在65 V下運(yùn)行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應(yīng)用來說至關(guān)重要。

Strategy Analytics公司的戰(zhàn)略技術(shù)實(shí)踐執(zhí)行總監(jiān)Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶體管對市場來說是真正顛覆性的產(chǎn)品。提供與硅基LDMOS和硅雙極器件相比，它不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能，在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案，在熱管理工藝流程中無需采用金剛石等耐高溫材料，具備極高的高性價(jià)比?！?/p>

Qorvo高功率解決方案部總經(jīng)理Roger Hall表示，“這款新型高功率晶體管無需結(jié)合放大器的復(fù)雜操作便可實(shí)現(xiàn)數(shù)千瓦的解決方案，能夠大幅節(jié)省客戶的時(shí)間和成本。與LDMOS相比，QPD1025的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15個(gè)百分點(diǎn)，這對IFF和航空電子應(yīng)用來說都非常重要。”

Qorvo提供業(yè)內(nèi)種類最多、最具創(chuàng)意的GaN-on-SiC產(chǎn)品組合。Qorvo產(chǎn)品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點(diǎn)，早在2000年就開始批量生產(chǎn)。

QPD1025的工程樣品現(xiàn)已上市。

關(guān)于Qorvo

Qorvo（納斯達(dá)克代碼：QRVO）長期堅(jiān)持提供創(chuàng)新的射頻解決方案以實(shí)現(xiàn)更加美好的互聯(lián)世界。我們結(jié)合產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢、以系統(tǒng)級專業(yè)知識(shí)和全球性的制造規(guī)模，快速解決客戶最復(fù)雜的技術(shù)難題。Qorvo 服務(wù)于全球市場，包括先進(jìn)的無線設(shè)備、有線和無線網(wǎng)絡(luò)和防空雷達(dá)及通信系統(tǒng)。我們在這些高速發(fā)展和增長的領(lǐng)域持續(xù)保持著領(lǐng)先優(yōu)勢。我們還利用我們獨(dú)特的競爭優(yōu)勢，以推進(jìn) 5G 網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)和其他新興的應(yīng)用市場以實(shí)現(xiàn)人物、地點(diǎn)和事物的全球互聯(lián)。