概述
HMC-C583是一款0.1 GHz至40 GHz、砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、IC單刀單擲(SPST)開(kāi)關(guān)，封裝在小型密封模塊中。 該寬帶開(kāi)關(guān)具有7 dB的典型插入損耗、50 dB的典型隔離和40 dBm的輸入IP3。

開(kāi)關(guān)導(dǎo)通/斷開(kāi)時(shí)間為10 ns（典型值）。 單控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換，用于選擇開(kāi)關(guān)狀態(tài)。 可移除的K型連接器可以拆卸，以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-C583 0.1GHz至40GHz SPST開(kāi)關(guān)技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 基站基礎(chǔ)設(shè)施
• 光纖和寬帶電信
• 微波無(wú)線電和VSAT
• 軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗(ECM)
• 測(cè)試儀器儀表

特性

• 典型插入損耗：7 dB
• 單正控制線
• 典型隔離：50 dB
• 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 40 dBm
• CMOS兼容控制
• 非反射拓?fù)?/li>
• 密封模塊
• 可現(xiàn)場(chǎng)更換的K型連接器
• 工作溫度： -55℃至+85℃

邏輯圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應(yīng)用信息

在圖12中，HMC - C583被用于制作一個(gè)射頻脈沖調(diào)制器。在此應(yīng)用電路中，HMC - C583對(duì)合成射頻信號(hào)發(fā)生器輸出的幅度進(jìn)行調(diào)制。

這種電路能夠?yàn)楦黝悜?yīng)用生成調(diào)制后的射頻信號(hào)，而這只是HMC - C583眾多應(yīng)用中的一種。