作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc.

英特爾自從1992年以來首次在半導體業(yè)務(wù)收入中失去第一名，需要新的策略來縮小差距或超越三星。
2017年，三星半導體部門的總收入達到691億美元，超過了英特爾的628億美元。由于內(nèi)存價格高漲，三星自1992年以來首次將英特爾從芯片銷售的首位擊倒。

由于平面DRAM由于即將結(jié)束的摩爾定律而面臨縮放限制，成本縮減變得緩慢并且平面DRAM最終無法滿足需求。位增長在23年內(nèi)縮小到最低點。因此，很難預(yù)計任何時候內(nèi)存價格會出現(xiàn)下滑。

英特爾與三星的半導體收入和營業(yè)利潤比較。

不過，三星的收入是否會在2018年持續(xù)增長？根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，DRAM收入在2017年增長了76％，預(yù)計2018年將增長超過30％。如果我們假設(shè)DRAM收入增長將導致三星半導體部門在2018年至少收入增長20％，而英特爾與2017年相比，收入穩(wěn)步增長7％，隨后英特爾在半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導地位將成為歷史。

DRAMeXchange預(yù)測，如果DRAM銷售額在2018年增長超過30％，三星半導體的收入將持續(xù)快速增長。

英特爾的下一步應(yīng)該是什么？作為一名追隨者，英特爾需要新的策略來縮小差距或超越三星。

英特爾可能會考慮盡可能擴大其代工業(yè)務(wù)，而不受代工策略或商業(yè)模式的限制。英特爾代工廠的大門需要向各種客戶提供各種知識產(chǎn)權(quán)的競爭性服務(wù)。由于英特爾擁有最好的技術(shù)，因此英特爾的代工廠可能會在短時間內(nèi)成為英特爾的盈利業(yè)務(wù)。

英特爾的另一個建議是與三星在內(nèi)存領(lǐng)域進行直接競爭。英特爾在DRAM業(yè)務(wù)方面有著悠久的歷史，并且仍然擁有強大的嵌入式DRAM技術(shù)。想想3D DRAM。由于DRAM廠商還沒有3D DRAM技術(shù)，它將成為游戲規(guī)則的變革者。DRAM供應(yīng)商正在使用傳統(tǒng)平面DRAM創(chuàng)造創(chuàng)紀錄的收入和利潤，而傳統(tǒng)的平面DRAM已經(jīng)面臨縮放限制。如果3D DRAM出現(xiàn)，它肯定會在DRAM業(yè)務(wù)中形成新的范式。因此，使用3D DRAM的DRAM業(yè)務(wù)的直接競爭將是與三星競爭的最有效方式。

盡管英特爾的NSG（N -on-Volatile Memory S olution G）roup）擁有創(chuàng)新的3D XPoint技術(shù)，因此英特爾NSG需要額外的顛覆性技術(shù)，以便將NSG業(yè)務(wù)與其競爭對手區(qū)分開來。如下圖所示，三星和英特爾的NAND閃存市場份額差距很大。事實上，英特爾是NAND領(lǐng)域的一個小玩家。盡管英特爾擁有富有競爭力的NAND技術(shù)，但從外部來源發(fā)現(xiàn)新興技術(shù)并采用新的創(chuàng)新技術(shù)實現(xiàn)更好的英特爾NSG業(yè)務(wù)是有利的。3D XPoint具有巨大的潛力，但可能需要更多時間才能具有成本競爭力。因此，研發(fā)費用和營業(yè)收入應(yīng)該平衡。當其他NAND供應(yīng)商創(chuàng)造創(chuàng)紀錄的利潤時，英特爾NSG也需要盈利。

英特爾非易失性解決方案集團2017年收益和NAND閃存市場份額。

許多人可能并沒有預(yù)料到三星在如此短的時間內(nèi)將超越英特爾。具有諷刺意味的是，由于平面DRAM的供應(yīng)有限，摩爾定律的結(jié)束給三星帶來了巨大的商機。因此，記憶成為賣方市場。

盡管中國的手機制造商抱怨內(nèi)存價格居高不下，而中國政府正在考慮DRAM固定價格的可能性，但內(nèi)存價格的上漲似乎不可阻擋。DRAMeXchange預(yù)測，如果DRAM收入在2018年增長超過30％，三星將加大與英特爾的距離。傳統(tǒng)上，英特爾和三星之間的業(yè)務(wù)重疊度非常小。但為了奪回王位，英特爾需要在內(nèi)存和晶圓代工市場進行直接競爭。英特爾當然需要盡早采取新策略。