近年來(lái)，生物傳感器的發(fā)展已成為一個(gè)重要的研究重點(diǎn)，具有改革醫(yī)療和診斷的潛力。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，生物傳感器是通過(guò)生成與反應(yīng)中分析物濃度成正比的信號(hào)來(lái)測(cè)量生物反應(yīng)的設(shè)備。隨著對(duì)高精度設(shè)備需求的增加，生物傳感器在臨床檢測(cè)(Point-of-Care，PoC)中找到了廣泛的應(yīng)用。PoC 檢測(cè)是在靠近患者的地方進(jìn)行的臨床實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，旨在減少周轉(zhuǎn)時(shí)間并確保及時(shí)的臨床決策。技術(shù)進(jìn)步，包括電子設(shè)備的小型化和改進(jìn)的儀器，促進(jìn)了越來(lái)越小且更加準(zhǔn)確的 PoC 設(shè)備的發(fā)展。

PoC 檢測(cè)正在從單一分析物檢測(cè)轉(zhuǎn)向多重分析物檢測(cè)，后者可以進(jìn)行更多的測(cè)試，這增加了可靠統(tǒng)計(jì)分析的重要性。進(jìn)行遠(yuǎn)程多重分析物檢測(cè)需要在篩選樣品時(shí)對(duì)多個(gè)分析物具有高精度，同時(shí)還需要足夠的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)以排除單個(gè)虛假信號(hào)源。傳統(tǒng)的方法，如酶聯(lián)免疫吸附測(cè)定(ELISA)，需要單獨(dú)測(cè)量每對(duì)分析物和受體，耗時(shí)較長(zhǎng)。本文介紹了一些先進(jìn)的多重分析物診斷解決方案，并深入探討了用于生物傳感器的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GFET)的晶圓級(jí) CMOS 集成。

先進(jìn)的多重分析物診斷解決方案

為了消除 ELISA 方法在多重分析物診斷中的缺陷，正在通過(guò)使用集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)讀出的傳感器陣列在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的解決方案。CMOS 讀出技術(shù)的潛在好處包括低成本、高密度陣列形成、低功耗、無(wú)標(biāo)記檢測(cè)、讀出集成和更小的設(shè)備尺寸，這使其成為 PoC 檢測(cè)應(yīng)用的理想選擇。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是與 CMOS 技術(shù)一起用于多重分析物檢測(cè)的基本生物傳感器。不同的基于 FET 的技術(shù)，如碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNTFET)、離子選擇性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)、擴(kuò)展門(mén)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(EGFET)、薄膜體聲諧振器(FBAR)和硅納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiNWFET)，與 CMOS 兼容，但存在一些局限性。

基于化學(xué)氣相沉積(CVD)石墨烯的 GFET 傳感器目前是最理想的解決方案，因?yàn)榕c其他傳感器相比，它們被發(fā)現(xiàn)是最經(jīng)濟(jì)和準(zhǔn)確的。GFET 提供與 CNTFET 和 SiNWFET 相似的靈敏度和更易于制造的特性，使其成為高靈敏度無(wú)標(biāo)記生物傳感器的成本效益方法。盡管 ISFET 和 EGFET 可以在 CMOS 上使用標(biāo)準(zhǔn)工藝輕松制造，但它們會(huì)受到設(shè)備穩(wěn)定性和漂移問(wèn)題的影響。

GFET 的晶圓級(jí) CMOS 集成

用于多重分析物檢測(cè)的 GFET 集成到一個(gè) CMOS 多路復(fù)用平臺(tái)中，使數(shù)百個(gè) GFET 的同時(shí)測(cè)量成為可能。采用 0.35 微米模擬工藝節(jié)點(diǎn)的 200 毫米 CMOS 集成已使用 X-Fab 提供的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)制造?？偣矞y(cè)試了 512 個(gè) GFET，并且可以進(jìn)一步擴(kuò)展到 4096 個(gè)設(shè)備。使用全球數(shù)字控制選擇 GFET，通過(guò)觸發(fā)像素級(jí)局部 CMOS 開(kāi)關(guān)來(lái)測(cè)量 GFET 的電阻讀數(shù)。GFET 值的測(cè)量通過(guò)選擇切割晶圓上的五個(gè)傳感器芯片進(jìn)行。芯片被電線鍵合到芯片載體上以進(jìn)行電氣測(cè)量。

使用參數(shù)分析儀與芯片上的 CMOS 多路復(fù)用器一起進(jìn)行設(shè)備的測(cè)量和偏置。液體柵極電壓(Vg)通過(guò)使用片上 Pt 液體柵極進(jìn)行控制。在無(wú)柵極的環(huán)境條件下測(cè)量的電阻值如下圖所示，并附有五個(gè)芯片的電阻值直方圖。對(duì)于每個(gè)芯片，報(bào)告了平均電阻值和標(biāo)準(zhǔn)偏差。

GFET 的性能和穩(wěn)定性通過(guò)在去離子水(DIW)中進(jìn)行電氣測(cè)量進(jìn)行評(píng)估。GFET 在 DIW 中暴露兩次，以獲取設(shè)備的電阻隨 Vg 的變化。Vg 是通過(guò)片上 Pt 電極施加到所有 GFET 上的。結(jié)果顯示出良好的穩(wěn)定性和低變化的 Dirac 峰電壓。Dirac 峰電壓是石墨烯通道的電荷中性點(diǎn)的度量，低變化表明 GFET 具有均勻性和一致的電氣特性，從而能夠進(jìn)行一致的測(cè)量，這對(duì)生物傳感器及其應(yīng)用至關(guān)重要。類似地，GFET 還暴露于不同濃度的氯化鈉(NaCl)溶液中。這樣做是為了獲得每種 NaCl 濃度下，設(shè)備的電阻和跨導(dǎo)值隨柵壓的變化。

測(cè)量顯示，由于柵電容的變化，Dirac 峰電壓位置發(fā)生了位移，平均電阻值在 Dirac 峰處保持不變，盡管峰電壓值發(fā)生了變化，這表明 GFET 的主導(dǎo)傳感機(jī)制是靜電柵極。在 NaCl 濃度測(cè)試后，GFET 再次使用 DIW 進(jìn)行測(cè)試，以確保設(shè)備恢復(fù)到在 DIW 特性測(cè)量中建立的基線。

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