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手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告

科技數(shù)碼 ? 來(lái)源:科技數(shù)碼 ? 作者:科技數(shù)碼 ? 2025-04-17 14:47 ? 次閱讀
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手機(jī)心臟的"烤"驗(yàn)戰(zhàn)場(chǎng)

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5G手機(jī)主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域)


"當(dāng)你的手機(jī):

邊快充邊玩《悟空》時(shí)→電感溫度飆升至110℃

4K視頻連續(xù)拍攝時(shí)→電感持續(xù)工作在85℃+

地鐵刷劇1小時(shí)后→主板形成局部高溫區(qū)

傳統(tǒng)電感正在經(jīng)歷材料疲勞的隱形崩塌..."


1. 實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比(嚴(yán)于車載產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn))


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2. 實(shí)驗(yàn)前后形態(tài)對(duì)比(產(chǎn)品內(nèi)、外部無(wú)開(kāi)裂情形)


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3、性能驗(yàn)證:同規(guī)格產(chǎn)品與某臺(tái)系規(guī)格參數(shù)比對(duì)試驗(yàn)后平均降幅小


·L值測(cè)試設(shè)備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)

·DCR值測(cè)試設(shè)備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)

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vs


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4、技術(shù)解析:為何能通過(guò)地獄級(jí)考驗(yàn)?


①材料革命

160℃高溫測(cè)試材料磁導(dǎo)率變化曲線:(250H~1000H材料變化率低)

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②成型工藝對(duì)比


英麥科-液態(tài)等靜壓成型工藝

全方位溫度壓力控制:

外層/核心層:200℃快速固化→形成保護(hù)殼,消除內(nèi)應(yīng)力

VS

臺(tái)系品牌-機(jī)械模壓成型工藝

傳統(tǒng)機(jī)械式模壓

成型壓力:6噸、20噸、30噸、60噸

單顆產(chǎn)品受力約400~500kg,受模具影響,

產(chǎn)品受力不均,線圈易變形,且居中度不佳


③ 材料對(duì)比


英麥科—耐高溫介質(zhì)材料

玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg):280℃(競(jìng)品180℃)

熱膨脹系數(shù)(CTE):2.8ppm/℃(競(jìng)品5.5ppm/℃)

VS

其他品牌——常規(guī)材料,磷化工藝搭配樹(shù)脂混合使用


可靠性提升公式

MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常規(guī))

(ΔT=驗(yàn)證溫差35℃ → 理論壽命提升32倍)

審核編輯 黃宇

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    的頭像 發(fā)表于 03-14 00:32 ?177次閱讀
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    發(fā)表于 01-29 16:20

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    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:02 ?1422次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 12-02 08:33 ?1250次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:15 ?1492次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 07-22 14:15 ?1565次閱讀
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    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>芯片的<b class='flag-5'>可靠性</b>測(cè)試都有哪些測(cè)試項(xiàng)目?——納米軟件

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    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:43 ?1551次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>測(cè)試<b class='flag-5'>可靠性</b>測(cè)試設(shè)備

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    發(fā)表于 05-09 16:10

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
    發(fā)表于 05-07 20:34
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