介紹

本設(shè)計實例報告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC單面USB充電器。它具有內(nèi)置的高效率同步整流和單面PCB。此外，它具有次級側(cè)控制的所有優(yōu)點，以及初級側(cè)調(diào)節(jié)的簡單性。<10 mW空載輸入功率和±3％CV，±5％CC調(diào)節(jié)，對變壓器變化不敏感，其瞬態(tài)響應與負載時序無關(guān)。該設(shè)計適用于手機/ USB充電器。

圖1填充電路板，頂視圖圖2填充電路板，底視圖
圖3示意圖

輸入EMI濾波

保險絲F1提供保護，防止初級側(cè)組件的災難性故障。

由于整流橋BR1的低浪涌電流額定值和大容量存儲電容器C1和C2的相對高的值并且因此低的阻抗，浪涌限制熱敏電阻（RT1）是必要的。

由于空間有限，特別是從PCB到外殼的高度，因此選擇了物理小型橋式整流器BR1。

電容C1和C2提供對整流交流輸入的濾波，并與L1和L2一起形成π（π）濾波器，以衰減差模EMI。低值Y電容（C8）可降低共模EMI。

InnoSwitch-CH IC Primary

變壓器原邊的一側(cè)連接到整流DC總線，另一邊連接到InnoSwitch-CH IC（U1）內(nèi)的集成650 V功率MOSFET。

由D1，R1，R2和C3組成的低成本RCD鉗位電路限制了由于變壓器和輸出走線電感的影響而產(chǎn)生的峰值漏極電壓。

IC是自啟動的，當首次使用AC時，使用內(nèi)部高壓電流源為BPP引腳電容（C4）充電。正常運行期間，初級側(cè)塊由變壓器上的輔助繞組供電。其輸出配置為反激式繞組，整流和濾波（D2和C5），并通過限流電阻R3饋入BPP引腳。

InnoSwitch-CH IC Secondary

InnoSwitch-CH的次級端提供輸出電壓，輸出電流檢測和驅(qū)動到一個提供同步整流的MOSFET。

變壓器的二次側(cè)由Q1進行整流，并由C10進行濾波。在開關(guān)瞬態(tài)期間發(fā)生高頻振鈴，否則會在Q1兩端產(chǎn)生高電壓，輻射EMI會通過緩沖器組件R5和C9降低。

IC的次級側(cè)由次級繞組的正向電壓或輸出電壓自供電。在CV操作期間，輸出電壓為器件供電，并饋入VO引腳。