摘要： 本文深入剖析了芯片軟錯(cuò)誤概率問(wèn)題，結(jié)合 AEC-Q100 與 IEC61508 標(biāo)準(zhǔn)，以 130 納米工藝 1Mbit RAM 芯片為例闡述其軟錯(cuò)誤概率，探討汽車(chē)芯片安全等級(jí)劃分及軟錯(cuò)誤對(duì)汽車(chē)關(guān)鍵系統(tǒng)的影響，分析先進(jìn)工藝下軟錯(cuò)誤變化趨勢(shì)，并提出相應(yīng)的應(yīng)對(duì)策略，旨在為芯片在汽車(chē)等安全關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用提供理論參考與實(shí)踐指導(dǎo)，保障電子系統(tǒng)可靠性。

一、引言

隨著電子技術(shù)在汽車(chē)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，芯片作為核心部件，其可靠性直接關(guān)系到車(chē)輛的安全性能。其中，軟錯(cuò)誤這一可靠性問(wèn)題日益受到關(guān)注。軟錯(cuò)誤是指芯片在運(yùn)行過(guò)程中，因外部環(huán)境因素導(dǎo)致其內(nèi)部存儲(chǔ)狀態(tài)或邏輯狀態(tài)發(fā)生臨時(shí)性錯(cuò)誤，與硬錯(cuò)誤不同，軟錯(cuò)誤并不會(huì)造成芯片物理?yè)p壞，但可能引發(fā)系統(tǒng)功能異常。鑒于汽車(chē)應(yīng)用環(huán)境的復(fù)雜性與高安全性要求，深入研究芯片軟錯(cuò)誤概率及其應(yīng)對(duì)措施具有極為重要的現(xiàn)實(shí)意義。

二、芯片軟錯(cuò)誤概率分析

依據(jù) AEC-Q100（汽車(chē)電子委員會(huì)制定的汽車(chē)級(jí)集成電路應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）和 IEC61508（電氣 / 電子 / 可編程電子安全系統(tǒng)的功能安全標(biāo)準(zhǔn)）兩大權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)，選取 130 納米工藝制造的 1Mbit RAM 芯片作為研究對(duì)象。研究表明，大氣中子單粒子效應(yīng)引發(fā)的軟錯(cuò)誤概率超過(guò) 1000FIT（Failure In Time，定義為在 10^9 小時(shí)內(nèi)出現(xiàn)一次故障即為 1FIT。例如，某器件失效率為 100FIT，則平均預(yù)期可安全工作時(shí)間為 10^7 小時(shí)）。從數(shù)值上看，1000FIT 的軟錯(cuò)誤概率相對(duì)較高，尤其對(duì)于汽車(chē)剎車(chē)等安全等級(jí)要求極為嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景而言，這一概率意味著潛在的巨大安全風(fēng)險(xiǎn)。汽車(chē)剎車(chē)系統(tǒng)作為車(chē)輛安全的關(guān)鍵組成部分，其控制芯片一旦遭受軟錯(cuò)誤，可能導(dǎo)致剎車(chē)指令無(wú)法準(zhǔn)確執(zhí)行或延遲執(zhí)行，從而危及駕乘人員生命安全以及道路行車(chē)安全。

三、汽車(chē)芯片安全等級(jí)劃分與軟錯(cuò)誤關(guān)聯(lián)

汽車(chē)芯片根據(jù)其應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)程度，被精細(xì)劃分為不同安全等級(jí)，依次為 QM、ASIL-A、ASIL-B、ASIL-C、ASIL-D，其中 ASIL-D 為最高等級(jí)，代表最嚴(yán)格的安全要求。芯片安全等級(jí)的劃分依據(jù)包括三個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)的計(jì)算，這些指標(biāo)綜合考量了系統(tǒng)故障對(duì)人員、環(huán)境等可能造成的危害程度。以 130 納米工藝下的 CMOS 工藝設(shè)計(jì)為例，當(dāng)芯片時(shí)序存儲(chǔ)容量不斷增加時(shí)，其對(duì)安全設(shè)計(jì)的要求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。1000FIT 的故障率已遠(yuǎn)超 ASIL-B 的等級(jí)要求，這凸顯了在先進(jìn)工藝推進(jìn)下，芯片軟錯(cuò)誤問(wèn)題對(duì)汽車(chē)芯片安全等級(jí)達(dá)標(biāo)構(gòu)成的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)者需在芯片架構(gòu)、電路設(shè)計(jì)、軟件算法等多層面協(xié)同優(yōu)化，以提升芯片的抗軟錯(cuò)誤能力，確保芯片在全生命周期內(nèi)符合既定安全等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

四、汽車(chē)關(guān)鍵系統(tǒng)對(duì)芯片軟錯(cuò)誤的敏感性

汽車(chē)系統(tǒng)的安全等級(jí)對(duì)所選用的芯片有著明確且嚴(yán)格的要求，尤其是 ASIL-D 等級(jí)的動(dòng)力能源、汽車(chē)制動(dòng)、EBS（電子制動(dòng)系統(tǒng)）等關(guān)鍵系統(tǒng)，對(duì)控制芯片的要求近乎苛刻。以汽車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)為例，其對(duì)指令的執(zhí)行精度與時(shí)效性要求極高。若芯片出現(xiàn)軟錯(cuò)誤，導(dǎo)致制動(dòng)指令 “隨機(jī)故障”，即制動(dòng)指令未能按預(yù)期執(zhí)行，后果將不堪設(shè)想。駕駛員和乘客將面臨著巨大的生命危險(xiǎn)，車(chē)輛可能因無(wú)法及時(shí)制動(dòng)而發(fā)生碰撞事故。此外，軟錯(cuò)誤的來(lái)源具有高度不確定性，涵蓋大氣中子、α粒子、電源電壓波動(dòng)等多種因素，這使得設(shè)計(jì)者在芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)集成過(guò)程中，必須全面、系統(tǒng)地考慮每一層級(jí)可能出現(xiàn)的軟錯(cuò)誤，并制定相應(yīng)的應(yīng)對(duì)方案，構(gòu)建多層級(jí)的容錯(cuò)機(jī)制，保障汽車(chē)關(guān)鍵系統(tǒng)的可靠性與安全性。

五、先進(jìn)工藝下芯片軟錯(cuò)誤趨勢(shì)

隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷演進(jìn)，芯片尺寸持續(xù)縮小，當(dāng)前大多芯片已采用 28 納米甚至 7 納米工藝進(jìn)行生產(chǎn)。然而，工藝的微型化卻帶來(lái)了一個(gè)不容忽視的問(wèn)題 —— 器件的容軟錯(cuò)誤能力顯著下降。在先進(jìn)工藝下，不僅單比特翻轉(zhuǎn)（SBF）錯(cuò)誤概率增加，還出現(xiàn)了更為復(fù)雜的多比特翻轉(zhuǎn)（MBU）錯(cuò)誤，這進(jìn)一步加大了故障恢復(fù)的難度。研究表明，采用 28 納米 CMOS 工藝設(shè)計(jì)的器件相較于 130 納米工藝器件，在軟錯(cuò)誤概率上至少高出 3 個(gè)數(shù)量級(jí)。這一趨勢(shì)對(duì)系統(tǒng)的安全性設(shè)計(jì)提出了前所未有的挑戰(zhàn)，迫使芯片設(shè)計(jì)者與系統(tǒng)工程師必須重新審視傳統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)方法，探索適應(yīng)先進(jìn)工藝的新型軟錯(cuò)誤防護(hù)策略，以平衡芯片性能提升與系統(tǒng)安全性保障之間的矛盾。

六、芯片軟錯(cuò)誤應(yīng)對(duì)策略

盡管芯片軟錯(cuò)誤在一定程度上難以完全避免，但這并不意味著芯片無(wú)法在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中得到有效利用。對(duì)于商業(yè)級(jí)器件和普通工業(yè)級(jí)器件而言，即使發(fā)生軟錯(cuò)誤，通?？赏ㄟ^(guò)簡(jiǎn)單的重啟或復(fù)位操作予以消除，且此類(lèi)故障對(duì)人身財(cái)產(chǎn)造成的損害風(fēng)險(xiǎn)較低，可接受一定程度的軟錯(cuò)誤率。然而，對(duì)于涉及人民群眾生命安全的場(chǎng)景，如汽車(chē)安全等級(jí)達(dá)到 ASIL-D 或工業(yè)安全要求達(dá)到 SIL-1 的場(chǎng)景，就必須對(duì)芯片的軟錯(cuò)誤特性進(jìn)行嚴(yán)格評(píng)估與控制。

針對(duì)器件容軟錯(cuò)誤的技術(shù)方法豐富多樣。在太空環(huán)境下，器件往往不計(jì)成本地在設(shè)計(jì)與生產(chǎn)環(huán)節(jié)采取極端冗余、加固等措施以保障任務(wù)成功，因太空環(huán)境的特殊性與高風(fēng)險(xiǎn)性使得任何微小的故障都可能導(dǎo)致重大任務(wù)失敗。而對(duì)于地面器件，由于其應(yīng)用場(chǎng)景更為廣泛且對(duì)成本敏感，在保證安全要求的前提下，追求極致的性?xún)r(jià)比成為關(guān)鍵目標(biāo)，這就需要在芯片設(shè)計(jì)、制造工藝選擇、系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)以及軟件開(kāi)發(fā)等多個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行權(quán)衡與優(yōu)化，綜合運(yùn)用多種軟錯(cuò)誤防護(hù)技術(shù)，如錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正碼（ECC）、冗余設(shè)計(jì)、時(shí)序裕度優(yōu)化等，以實(shí)現(xiàn)芯片在性能、成本與可靠性之間的最佳平衡，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)芯片軟錯(cuò)誤特性的差異化要求。例如，國(guó)科安芯的AS32A601車(chē)規(guī)芯片基于自研工藝級(jí)軟錯(cuò)誤防護(hù)技術(shù)，支持端到端ECC保護(hù)。這種設(shè)計(jì)能夠有效檢測(cè)和糾正存儲(chǔ)器中的軟錯(cuò)誤，從而提高芯片的可靠性。此外，該芯片還集成了硬件加密模塊，支持AES、SM2/3/4和TRNG等加密算法，能夠有效防止數(shù)據(jù)在傳輸過(guò)程中被篡改或竊取。

七、結(jié)論

芯片軟錯(cuò)誤概率是影響汽車(chē)芯片乃至各類(lèi)電子產(chǎn)品可靠性的重要因素。通過(guò)對(duì) 130 納米工藝 1Mbit RAM 芯片的分析，結(jié)合汽車(chē)芯片安全等級(jí)劃分以及先進(jìn)工藝下軟錯(cuò)誤趨勢(shì)的探討，深刻認(rèn)識(shí)到芯片軟錯(cuò)誤問(wèn)題的復(fù)雜性與嚴(yán)峻性。在汽車(chē)智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化快速發(fā)展的當(dāng)下，芯片作為核心支撐，其軟錯(cuò)誤防護(hù)技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用至關(guān)重要。未來(lái)，隨著芯片制造工藝的持續(xù)進(jìn)步，軟錯(cuò)誤問(wèn)題將進(jìn)一步凸顯，需要芯片設(shè)計(jì)者、系統(tǒng)集成商、標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)以及科研人員等各方協(xié)同合作，不斷探索創(chuàng)新的軟錯(cuò)誤應(yīng)對(duì)策略與解決方案，從芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)、制造工藝改進(jìn)、系統(tǒng)容錯(cuò)機(jī)制構(gòu)建以及軟件算法優(yōu)化等多維度入手，全面提升芯片的抗軟錯(cuò)誤能力，確保汽車(chē)電子系統(tǒng)以及其他關(guān)鍵應(yīng)用電子系統(tǒng)的穩(wěn)定、可靠運(yùn)行，為人們的出行安全以及社會(huì)的數(shù)字化發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

審核編輯 黃宇