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ISO 16750-2:2023標(biāo)準(zhǔn)深度解讀

凌世電磁兼容 ? 來源:凌世電磁兼容 ? 作者:凌世電磁兼容 ? 2025-05-16 10:07 ? 次閱讀
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01標(biāo)準(zhǔn)定位與核心更新

ISO 16750-2:2023是國際標(biāo)準(zhǔn)化組織針對(duì)汽車電子電氣設(shè)備電氣負(fù)荷測(cè)試的新版本,適用于燃油車、新能源車及智能網(wǎng)聯(lián)汽車的電子部件驗(yàn)證。相較于2012版,新版標(biāo)準(zhǔn)新增了部分內(nèi)容,重點(diǎn)強(qiáng)化了新能源與智能汽車的測(cè)試覆蓋范圍,具體變化包括:

4.3過電壓測(cè)試:增加了瞬態(tài)過電壓測(cè)試增加了跳躍啟動(dòng)測(cè)試

4.4疊加交流電:紋波頻率增加到200kHz增加閉環(huán)監(jiān)控測(cè)試要求

4.6供電電壓瞬態(tài)變化:增加電源電壓微中斷測(cè)試,中斷時(shí)間<10us

4.7反極性測(cè)試:增加了過零點(diǎn)測(cè)試要求,必須配雙極性源

4.8接地和電源偏移:對(duì)于測(cè)試組合描述更明確,測(cè)試方法更具體化,需要供電端和接地端同時(shí)偏移

4.9開路試驗(yàn):要求在做單路斷開時(shí),斷開時(shí)間<10us

4.10短路保護(hù):增加負(fù)載過載測(cè)試項(xiàng)目

02核心測(cè)試項(xiàng)目解析

如無特殊規(guī)定設(shè)備的基本精度要求:頻率和時(shí)間:±5 %;電壓:±0.2 V;電流:±2 %;電感:±10 %;阻抗:±10 %;所有電壓曲線均為無負(fù)載

4.2 直流供電電壓

此測(cè)試的目的是驗(yàn)證設(shè)備在最小和最大供電電壓下的功能。

wKgZO2gmndCAcTuFAAEgS5AUTdg883.pngwKgZPGgmndCAQnoNAAEso_iVqok306.pngwKgZO2gmndCAQtcHAAE-7Ng0is4215.png凌世設(shè)備連接示意圖wKgZO2gmndCAQtcHAAE-7Ng0is4215.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.3過電壓

4.3.1.2 室溫及Tmin下跳躍啟動(dòng)測(cè)試

此測(cè)試模擬從24V系統(tǒng)到12V系統(tǒng)的車輛跳啟動(dòng)。一個(gè)模擬用例可以是使用24V系統(tǒng)的車輛進(jìn)行跳啟動(dòng),但車輛不運(yùn)行發(fā)動(dòng)機(jī)(即在24V側(cè)不施加充電)。另一個(gè)用例可以是來自24V獨(dú)立電池組的跳啟動(dòng)。此測(cè)試僅適用于12V系統(tǒng)。測(cè)試應(yīng)在室溫條件下進(jìn)行,也可以在Tmin條件下進(jìn)行如果客戶與供應(yīng)商達(dá)成一致,可以省略在Tmin條件下的測(cè)試。

wKgZPGgmndGAZE_3AAGHGO8dTyU664.pngwKgZO2gmndGAL_MAAACKzsjoVvk726.png

4.3.2 瞬時(shí)過電壓

此測(cè)試模擬當(dāng)DUT受到開關(guān)負(fù)載或向電氣分配系統(tǒng)注入電流的負(fù)載影響時(shí)的情況。此測(cè)試對(duì)12v和24V系統(tǒng)都適用。

wKgZPGgmndKARXXmAACfYRqhBzY069.pngwKgZO2gmndKAF3RoAACEZiseDEc892.pngwKgZO2gmndKAF3RoAACEZiseDEc892.pngwKgZPGgmndOARVzHAAFgOmZ1NUo294.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.4 疊加交流電

該測(cè)試旨在檢查組件對(duì)車載系統(tǒng)中的波紋(例如由交流發(fā)電機(jī)DC/DC轉(zhuǎn)換器引起)的免疫力。它規(guī)定了確定電子元件抗擾度的傳導(dǎo)電壓測(cè)試方法和程序。該方法同時(shí)應(yīng)用于所有DUT電源線。對(duì)于具有冗余電源的DUT,客戶和供應(yīng)商應(yīng)就任何暴露組合達(dá)成一致。

wKgZO2gmndSACb9JAAF7FW6uopE397.pngwKgZPGgmndSAMP7oAAIGHVwLLW4725.pngwKgZO2gmndSAKW63AAFIie3jBD4723.pngwKgZO2gmndSAKW63AAFIie3jBD4723.pngwKgZPGgmndWAKQ0iAAHdN1Iz7tA477.png凌世設(shè)備連接示意圖wKgZPGgmndWAKQ0iAAHdN1Iz7tA477.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.5 供電電壓緩升緩降

此測(cè)試模擬電池的逐漸放電和充電。此測(cè)試對(duì)12V和24V系統(tǒng)都適用。

wKgZO2gmndWAY-TkAAEgSpy289I271.png

4.6.1 供電電壓瞬時(shí)下降或中斷

此測(cè)試模擬常規(guī)保險(xiǎn)絲元件在并聯(lián)電路中熔化的效果。此測(cè)試對(duì)12V和24V系統(tǒng)都適用。

wKgZPGgmndaAfh8jAADZA_4S4eE027.pngwKgZO2gmndaARi24AADZVsww1jo190.png

4.6.1.2電源電壓微中斷測(cè)試

該測(cè)試模擬了由于電源線的短路或開路(例如接觸故障、缺陷繼電器、繼電器觸點(diǎn)彈跳或從主電源切換到冗余電源)導(dǎo)致的電源電壓中的微中斷事件的影響。

wKgZPGgmndeAaYt4AADMMXrrrj0965.png

4.6.2 電壓下降時(shí)復(fù)位特性

此測(cè)試驗(yàn)證DUT在不同電壓降下的復(fù)位行為。此測(cè)試適用于具有復(fù)位功能的設(shè)備,例如包含微控制器的設(shè)備。

wKgZO2gmndeADjBQAAGMCwkcIpU255.png

4.6.3 啟動(dòng)特性

此測(cè)試驗(yàn)證DUT在起動(dòng)期間和起動(dòng)后的行為。

wKgZPGgmndiANwCRAAElIduOEqA898.png

4.6.4拋負(fù)載測(cè)試

此測(cè)試模擬了在放電電池?cái)嚅_連接時(shí)發(fā)生負(fù)載傾倒瞬變的情況,此時(shí)交流發(fā)電機(jī)正在與其他負(fù)載一起產(chǎn)生充電電流。測(cè)試B的嚴(yán)重程度(1、2、3或4)應(yīng)由客戶和供應(yīng)商商定。

wKgZO2gmndiAHgSeAAEebae3FFg591.pngwKgZPGgmndmAYq4mAAE471LWXvo769.pngwKgZPGgmndmAYq4mAAE471LWXvo769.pngwKgZO2gmndmAKbCMAAHV8XRRv3k814.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.7 反向電壓

此測(cè)試檢查 DUT 在使用輔助啟動(dòng)設(shè)備的情況下承受反向電池連接的能力。此測(cè)試適用于12 V系統(tǒng)(測(cè)試案例1或測(cè)試案例2)和24V系統(tǒng)(僅測(cè)試案例2)此測(cè)試不適用于:交流發(fā)電機(jī);帶有鉗位二極管但無外部反向極性保護(hù)裝置的終端。

wKgZPGgmndqAGR1jAADpm0mA3Jc145.pngwKgZO2gmndqAFmt3AAEExkOE-f0615.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.8 接地偏移

這個(gè)測(cè)試用于驗(yàn)證在存在兩條或更多電源路徑的情況下組件的可靠運(yùn)行(請(qǐng)注意,這并不一定等同于向DUT提供冗余電源)。例如,一個(gè)組件可以有電源地和信號(hào)地,這些是不同電路上的輸出(例如,對(duì)于圖18中給出的具有兩個(gè)接地連接和兩個(gè)電源連接DUT)。

wKgZPGgmndqAVkQ2AAEsYZPBCfI914.pngwKgZO2gmnduAdHXsAAE6_F74saU345.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.9開路試驗(yàn)

此測(cè)試模擬開放接觸條件,例如,如果一根電線或連接到DUT的電氣連接出現(xiàn)中斷。中斷類型可以是靜態(tài)或動(dòng)態(tài)(松脫接觸)。靜態(tài)中斷通過測(cè)試方法1模擬,動(dòng)態(tài)中斷通過測(cè)試方法2模擬。此測(cè)試適用于DUT的電源、接地、信號(hào)和負(fù)載電路。

wKgZPGgmndyAC-qJAADw20xVYd8014.pngwKgZO2gmndyAM6KdAADPM_8NxG0541.png凌世設(shè)備連接示意圖

4.10短路保護(hù)

這些測(cè)試模擬短路和過載到設(shè)備的輸入和輸出。

4.11耐電壓

此測(cè)試確保具有電隔離的電路的介質(zhì)耐受電壓能力。此測(cè)試僅適用于包含電感元件(如繼電器、電機(jī)、線圈)的系統(tǒng)/組件,或與具有電感負(fù)載的電路相連的系統(tǒng)/組件。故意在DUT的電隔離電流承載部件之間施加過電壓,可能會(huì)因電場(chǎng)而對(duì)絕緣性能產(chǎn)生負(fù)面影響。此測(cè)試會(huì)施加壓力給絕緣系統(tǒng),并檢查絕緣材料在電感負(fù)載斷開時(shí)承受更高電壓的能力。

4.12 絕緣電阻

該測(cè)試確保了避免電隔離電路和被測(cè)器件的導(dǎo)電部分之間的電流所需的歐姆電阻的最小值。該測(cè)試表明絕緣系統(tǒng)和材料的相對(duì)質(zhì)量。

標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試設(shè)備

ISO 16750-2:2023 對(duì)應(yīng)測(cè)試設(shè)備
4.2 直流供電電壓 VEP-7600+VEP-7640D
4.3.1長時(shí)間過電壓 VEP-7600+VEP-7640D
4.3.2 瞬時(shí)過電壓 VEP-7600+VEP-7640D
4.4 疊加交流電 VEP-7600+VEP-7640D+LFS-500+T-8000-100+電流探頭+電壓探頭
4.5 供電電壓緩升緩降 VEP-7600+VEP-7640D
4.6.1 供電電壓瞬時(shí)下降或中斷 VEP-7600+VEP-7640D
4.6.2 電壓下降時(shí)復(fù)位特性 VEP-7600+VEP-7640D
4.6.3 啟動(dòng)特性 VEP-7600+VEP-7640D
4.6.4 甩負(fù)荷 VEP-7600+VEP-7650(A&B)(可用VEP-7600+VEP-7640供電)
4.7 反向電壓 VEP-7600+VEP-7640D
4.8 接地偏移 GBox-offset(可用VEP-7600+VEP-7640供電)
4.9.1 單線中斷 VMI-1016(可用VEP-7600+VEP-7640供電)
4.9.2 多線中斷 VMI-1016(可用VEP-7600+VEP-7640供電)


審核編輯 黃宇

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    的頭像 發(fā)表于 06-09 16:29 ?2320次閱讀
    <b class='flag-5'>ISO</b> 21498-<b class='flag-5'>2</b>:2024<b class='flag-5'>標(biāo)準(zhǔn)</b>解析
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