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GaN芯片在無(wú)線充電和自動(dòng)駕駛車(chē)輛等新應(yīng)用中用量的不斷增加,GaN器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將快速增長(zhǎng)

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-04-18 15:54 ? 次閱讀
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Mordor Intelligence公司

印度行業(yè)研究公司Mordor Intelligence預(yù)測(cè),GaN器件市場(chǎng)將從2017年的7.1144億美元上漲2023年的18.428億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為17.1%。該數(shù)據(jù)限于提供晶體管、二極管、整流器和功率集成電路的主要供應(yīng)商。盡管消費(fèi)電子在近年占據(jù)了最大比重,但智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)的成熟預(yù)計(jì)將減緩增長(zhǎng)速度,宇航和國(guó)防領(lǐng)域市場(chǎng)將呈現(xiàn)較快擴(kuò)張。

市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力

主要的驅(qū)動(dòng)力包括對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)中射頻器件增長(zhǎng)的需求、消費(fèi)類(lèi)電子的爆發(fā)(尤其是基于LED的照明和顯示),以及電動(dòng)汽車(chē)和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器的發(fā)展。

消費(fèi)電子領(lǐng)域占據(jù)最大比重

由于不斷涌現(xiàn)的創(chuàng)新和不斷被產(chǎn)業(yè)所采納,GaN器件的價(jià)格預(yù)期將下降。由于GaN器件所具有的多種優(yōu)勢(shì),如更高效率和更高工作頻率,目前日常使用的消費(fèi)電子設(shè)備中的很多器件預(yù)計(jì)將被GaN技術(shù)所替代。智能手機(jī)、游戲設(shè)備、筆記本電腦和電視等對(duì)GaN技術(shù)的需求將為其在消費(fèi)電子領(lǐng)域提供適度的增長(zhǎng)潛力。

GaN有望革新現(xiàn)有設(shè)備中的充電技術(shù),尤其是無(wú)線充電、快速充電和筆記本充電器領(lǐng)域。例如,Cambridge Electronic公司已經(jīng)研發(fā)出用于充電的GaN晶體管,體積只有1.5立方英寸。預(yù)計(jì)還將出現(xiàn)包括筆記本電腦充電適配器在內(nèi)的很多創(chuàng)新,驅(qū)動(dòng)GaN技術(shù)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用。由于GaN器件的工作頻率更高和芯片尺寸更小(將帶來(lái)成本節(jié)約和美學(xué)優(yōu)勢(shì)),這些器件同樣可用于LED TV顯示屏。而且,器件尺寸的減少,如在不間斷電源(UPS)中,節(jié)省的地方可變得更具生產(chǎn)力。

汽車(chē)領(lǐng)域前景巨大

在汽車(chē)上使用GaN LED替代白熾燈,以及對(duì)電動(dòng)車(chē)不斷增長(zhǎng)的需求都促進(jìn)了汽車(chē)領(lǐng)域GaN器件市場(chǎng)的增長(zhǎng)。然而,與碳化硅相比氮化鎵器件較高的制造成本是阻礙市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要因素之一。自動(dòng)駕駛車(chē)輛在其激光雷達(dá)系統(tǒng)中使用eGaN芯片來(lái)感知外部環(huán)境。GaN芯片被證實(shí)比硅芯片具備更高的精度,能夠達(dá)到英寸級(jí)別,而硅芯片則只能達(dá)到10英尺范圍。因此,隨著GaN芯片在無(wú)線充電和自動(dòng)駕駛車(chē)輛等新應(yīng)用中用量的不斷增加,GaN器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將快速增長(zhǎng)。

開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

新產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)為GaN市場(chǎng)的拓展提供了機(jī)會(huì)。很多芯片制造商現(xiàn)在使用GaN器件以支持無(wú)線電力(WiTricity)。無(wú)線充電應(yīng)用包括手機(jī)、平板、無(wú)人機(jī)、筆記本電腦、工業(yè)機(jī)器人、電器和汽車(chē)等。GaN技術(shù)可幫助芯片制造商減少集成電路成本,驅(qū)動(dòng)GaN器件在半導(dǎo)體制造企業(yè)中更廣泛的使用。

亞太地區(qū)增長(zhǎng)最快

推動(dòng)亞太地區(qū)市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要因素包括亞太地區(qū)較低的勞動(dòng)力和制造成本。由于中國(guó)和日本消費(fèi)電子產(chǎn)品制造和出口的增長(zhǎng),亞太地區(qū)預(yù)計(jì)將在2023年占據(jù)GaN市場(chǎng)的最大份額。中國(guó)是世界上最大的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)之一,而且特斯拉在2017年已宣布在美國(guó)以外的地方-上海建立首個(gè)制造廠,這些因素都預(yù)計(jì)將增加中國(guó)對(duì)GaN的需求。

同時(shí),在政府控制污染的新計(jì)劃下,印度承諾到2030年只銷(xiāo)售電動(dòng)汽車(chē)。印度最大的汽車(chē)制造商Maruti Suzuki已經(jīng)與Toyota合作,將在2019-2020年推出首款電動(dòng)汽車(chē)。這些因素都將增加印度對(duì)GaN的需求。而且,政府已經(jīng)宣布從2020年起將GDP的2.5%投入健康醫(yī)療領(lǐng)域,進(jìn)一步增加健康領(lǐng)域?qū)aN半導(dǎo)體的需求。

近期重要企業(yè)活動(dòng)

2017年10月,GaN系統(tǒng)公司和***經(jīng)濟(jì)部(MOEA)簽署意向書(shū),就拓展GaN技術(shù)對(duì)***電子企業(yè)的經(jīng)濟(jì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)展開(kāi)合作。該合作目標(biāo)是應(yīng)對(duì)全球持續(xù)增加的功耗挑戰(zhàn),氣候變化,實(shí)現(xiàn)清潔技術(shù)和滿足綠色CO2減少倡議。

2017年11月,歐司朗和大陸宣布成立合資企業(yè),共同發(fā)展汽車(chē)領(lǐng)域的智能照明解決方案。合資企業(yè)將組合兩個(gè)公司在半導(dǎo)體照明模塊、先進(jìn)電子、光電和軟件、傳感器技術(shù)和創(chuàng)新光源方面的先進(jìn)知識(shí)和優(yōu)勢(shì)。

主要生產(chǎn)商

東芝(Toshiba)、松下(Panasonic)、科銳(Cree)、GaN 系統(tǒng)、英飛凌(Infineon)、歐司朗(Osram)、高效功率轉(zhuǎn)換(EPC)、恩智浦(NXP)、德州儀器(TI)、NTT等。

Yole Développement公司

法國(guó)悠樂(lè)(Yole)公司分析預(yù)測(cè),氮化鎵(GaN)功率市場(chǎng)將從2016年的1200萬(wàn)美元上漲到2022年的4.6億美元,CAGR達(dá)到驚人的79%。主要是高端的中/低電壓應(yīng)用,GaN技術(shù)是滿足其特殊需求的現(xiàn)存唯一解決方案。

Yole公司的技術(shù)和市場(chǎng)分析師Hong Lin表示,“與硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的300億美元相比,GaN功率市場(chǎng)仍然很小,但因其可用于高性能和高頻解決方案,在短期內(nèi)將爆發(fā)出巨大的發(fā)展?jié)摿??!痹?016-2017年間,Yole的分析師看到了大量投資,明確用于支持GaN器件的研發(fā)和量產(chǎn)。

Yole將GaN功率供應(yīng)鏈分為兩種模型:IDM和代工廠。因?yàn)槭袌?chǎng)上有不同的需求,兩種模式將共存。GaN制造商將持續(xù)研發(fā)新產(chǎn)品和為客戶提供樣品,如EPC和其無(wú)線充電產(chǎn)品線,GaN系統(tǒng)公司也同樣銷(xiāo)售低壓GaN晶體管。

System Plus Consulting公司

GaN-on-Silicon

Yole集團(tuán)下屬公司System Plus咨詢公司在其最近發(fā)布的一份報(bào)告中分析了GaN-on-Silicon的供應(yīng)情況。System Plus咨詢公司功率電子和化合物半導(dǎo)體的項(xiàng)目經(jīng)理Elena Barbarini主任說(shuō):“現(xiàn)在GaN器件市場(chǎng)主要被200V以下器件所主導(dǎo)。600V器件市場(chǎng)預(yù)期將開(kāi)始發(fā)展和保持增長(zhǎng)。但是當(dāng)GaN開(kāi)始在不同應(yīng)用中替代MOSFET和支持新應(yīng)用時(shí),200V以下器件市場(chǎng)份額也將再次增加GaN-on-Silicon已是一個(gè)非常有前景的解決方案,因?yàn)閺囊婚_(kāi)始它就具備與CMOS兼容的潛力,并可因此降低成本。”

GaN-on-Silicon高電子遷移率晶體管(HEMT)市場(chǎng)非常吸引人,將帶來(lái)更多的制造商,并進(jìn)一步降低成本,使得GaN器件是現(xiàn)有硅基功率開(kāi)關(guān)晶體管(如MOSFET和IGBT)非常有力的競(jìng)爭(zhēng)者。然而,技術(shù)細(xì)節(jié)仍未確定,每一個(gè)生產(chǎn)商都提出了其在芯片設(shè)計(jì)和封裝集成方面的解決方案,這帶來(lái)了非常激烈的競(jìng)爭(zhēng),將加速技術(shù)創(chuàng)新和未來(lái)成本的進(jìn)一步降低。而且,GaN商業(yè)模式仍然非常不同。在未來(lái)我們將看到供應(yīng)鏈在成本因素下重組。

主要生產(chǎn)商

GaN-on-Silicon HMET的生產(chǎn)商包括EPC、Transphorm、GaN系統(tǒng)、松下和TI等。

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原文標(biāo)題:氮化鎵|氮化鎵器件市場(chǎng)將在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)和新應(yīng)用需求下快速放大

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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