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Diodes公司多款最新產(chǎn)品概述

Diodes 達(dá)邇科技半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:Diodes 達(dá)邇科技半導(dǎo)體 ? 2025-06-06 16:09 ? 次閱讀
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碳化硅肖特基二極管650V 碳化硅肖特基二極管具有極低 FOM,可為電源解決方案提供最高效率

IntelliFET:BSP75N 自我保護(hù)型電源開(kāi)關(guān)仍然是熱門(mén)的設(shè)計(jì)選擇

霍爾效應(yīng)傳感器

高精度 I2C 3D 線(xiàn)性霍爾效應(yīng)傳感器,適用于汽車(chē)產(chǎn)品應(yīng)用的旋轉(zhuǎn)和接近檢測(cè)

先進(jìn)的銻化銦霍爾器件傳感器,適用于旋轉(zhuǎn)和電流測(cè)量產(chǎn)品應(yīng)用

產(chǎn)品概述如下

650V 碳化硅肖特基二極管具有極低 FOM,可為電源解決方案提供最高效率

Diodes 公司擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。

DSCxxA065LP系列額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A,采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝,為高效率電源開(kāi)關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如直流對(duì)直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能 (AI) 工作負(fù)載的數(shù)據(jù)中心) 以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

與硅二極管相比,這五款碳化硅肖特基二極管具有更好的電源開(kāi)關(guān)性能。由于沒(méi)有反向恢復(fù)電流,以及低電容電荷 (QC),該系列器件的開(kāi)關(guān)損耗可以忽略不計(jì),適用于高速開(kāi)關(guān)電路。這五款二極管的低正向電壓 (VF) 可將傳導(dǎo)損耗降至最低,進(jìn)一步提升整體功率效率。這些特點(diǎn)結(jié)合起來(lái)實(shí)現(xiàn)極低的 FOM,可由以下公式表示:

FOM =QCxVF

這五款器件采用小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸:8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝,底部有大面積散熱片,可降低熱阻。這有助于提高電路設(shè)計(jì)的功率密度,縮小解決方案總體尺寸,并降低冷卻預(yù)算。T-DFN8080-4 是 TO252 (DPAK) 的理想替代方案。

查看產(chǎn)品詳情:DSC04A065LP(4A)、DSC06A065LP(6A)、DSC08A065LP(8A)、DSC10A065LP(10A) 和DSC12A065LP(12A)。

極低的 FOM (QC x VF) 可實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)效率的設(shè)計(jì),降低工作和冷卻成本

高達(dá) 175°C 的工作溫度可增強(qiáng)系統(tǒng)在嚴(yán)酷環(huán)境下的可靠性

正向電壓正溫度系數(shù)確保工作穩(wěn)定性,并支持器件并聯(lián)

產(chǎn)品封裝:DFN8080-4 (典型尺寸:8mm x 8mm x 1mm)

典型方框圖和品質(zhì)因數(shù) (FOM) 性能指標(biāo)

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IntelliFET BSP75N 自我保護(hù)型電源開(kāi)關(guān)仍然是熱門(mén)的設(shè)計(jì)選擇

BSP75N上市已有 25 年,仍得到廣泛使用并經(jīng)過(guò)驗(yàn)證,可提供受保護(hù)的開(kāi)關(guān)解決方案。

此器件采用 SOT223 封裝,可在嚴(yán)酷環(huán)境中,以及高達(dá) 36V 的系統(tǒng)電壓下,提供強(qiáng)大且可靠的低側(cè)直流開(kāi)關(guān)。多年來(lái),Diodes 公司不斷開(kāi)發(fā)該設(shè)計(jì),進(jìn)一步提供具有更低RDS(ON)和輸入電流的版本,不過(guò)最初版本仍是熱門(mén)選擇。

該器件特別適合:

具有高浪涌電流的負(fù)載,例如燈和電機(jī)

通用負(fù)載開(kāi)關(guān) (電阻、電感和電容負(fù)載)

3.3V 和 5V μPC 型系統(tǒng)

替代機(jī)電繼電器和分立電路

產(chǎn)品封裝:SOT23F

高精度 I2C 3D 線(xiàn)性霍爾效應(yīng)傳感器,適用于汽車(chē)產(chǎn)品應(yīng)用的旋轉(zhuǎn)和接近檢測(cè)

符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)*的AH4930Q是 Diode 公司的首款 3D 線(xiàn)性霍爾效應(yīng)傳感器。該器件符合 AEC-Q100 Grade 1 等級(jí)規(guī)范,溫度范圍擴(kuò)大為 -40°C 至 +125°C。 高性能的 AH4930Q 為高精度磁性感測(cè)提供精巧的解決方案。此單片傳感器 IC 集成溫度傳感器,可提供精確的片上補(bǔ)償。該器件的強(qiáng)大信號(hào)路徑和高分辨率 ADC 能夠精確測(cè)量三個(gè)軸上的磁場(chǎng),有助于準(zhǔn)確解碼運(yùn)動(dòng)和位置信息。 AH4930Q 集成用戶(hù)可編程的設(shè)定寄存器,可優(yōu)化性能。通過(guò) I2C 接口 (高達(dá) 1Mbps) 可存取數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)與主機(jī)系統(tǒng)的無(wú)縫集成??蛇x擇電源模式控制單元允許靈活工作,包括系統(tǒng)睡眠時(shí)的斷電 (9nA) 模式,以及為主動(dòng)且高要求的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)恒定測(cè)量的連續(xù) (快速) 模式 (3.8mA)。

高精度 12 位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器霍爾傳感器的測(cè)量可低至 1 高斯

片上 12 位溫度傳感器

10μs 快速啟動(dòng)和 4μs 響應(yīng)時(shí)間,可快速響應(yīng)磁場(chǎng)變化

產(chǎn)品封裝:SOT26

先進(jìn)的銻化銦霍爾器件傳感器,適用于旋轉(zhuǎn)和電流測(cè)量產(chǎn)品應(yīng)用

AHE101/AHE102/AHE108/AHE300是先進(jìn)的銻化銦霍爾器件,適用于轉(zhuǎn)速檢測(cè)和電流測(cè)量產(chǎn)品應(yīng)用,例如無(wú)刷直流電機(jī)、風(fēng)扇和電流傳感器。

這四款銻化銦霍爾器件采用橋式結(jié)構(gòu)配置,具有超高靈敏度,能夠檢測(cè)微弱磁場(chǎng),并提供成比例的模擬輸出。四款器件都提供多種霍爾靈敏度 (等級(jí)),可根據(jù)任意給定的磁場(chǎng)強(qiáng)度,提供不同的輸出電壓位準(zhǔn),從而根據(jù)不同的產(chǎn)品應(yīng)用需求實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。

超高靈敏度銻化銦霍爾器件可檢測(cè)微弱磁場(chǎng)

環(huán)境溫度范圍高達(dá) 125°C

低于 10mV 的失調(diào)電壓支持高分辨率和檢測(cè)精度

產(chǎn)品封裝:SOT23-4 (不同高度選項(xiàng)) 和 SIP-4 封裝

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原文標(biāo)題:Diodes公司最新產(chǎn)品快報(bào)2025第五期

文章出處:【微信號(hào):Diodes 達(dá)邇科技半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):Diodes 達(dá)邇科技半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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