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xMEMS將μCooling片上風扇擴展至固態(tài)硬盤xMEMS將μCooling片上風扇擴展至固態(tài)硬盤

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2025-06-09 17:13 ? 次閱讀
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用于固態(tài)硬盤的μCooling可將溫度降低30%,有望徹底變革高密度數(shù)據(jù)中心和消費計算設備的熱管理。

xMEMS Labs正在將其μCooling片上風扇平臺擴展至固態(tài)硬盤(SSD),首次讓用于AI數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級E3.S外形固態(tài)硬盤和用于筆記本電腦的NVMe M.2固態(tài)硬盤實現(xiàn)盤內主動散熱。

傳統(tǒng)上,固態(tài)硬盤熱管理依賴于被動散熱器和系統(tǒng)風扇的環(huán)境氣流,但這些往往不足以管理AI、高性能計算及現(xiàn)代計算環(huán)境中常見的高強度持續(xù)工作負載。隨著固態(tài)硬盤的速度遠遠超過7 GB/秒,溫控調頻仍然是性能障礙。xMEMS μCooling通過在固態(tài)硬盤內部直接為NAND閃存和控制器IC提供超局部主動散熱來解決這一問題。

xMEMS Labs營銷副總裁Mike Housholder表示:“固態(tài)硬盤是現(xiàn)代計算的數(shù)據(jù)高速公路——但當它們過熱時,一切都會變慢。μCooling是唯一一種體積小到可以安裝在固態(tài)硬盤內部的主動式解決方案,可向需要的地方準確地提供散熱,以防止溫控調頻并保持峰值數(shù)據(jù)速率?!?/p>

在AI數(shù)據(jù)中心中,E3.S外形的固態(tài)硬盤通常以9.5W TDP或更高的功率工作,導致緊湊密集的機架中產生熱點。集成μCooling的熱建模顯示:散熱能力達到3W;平均溫度降低超過18%;熱阻降低超過25%。

這使得硬盤能夠保持高速I/O而不出現(xiàn)性能下降,從而延長設備可靠性并提高關鍵AI/ML工作負載的吞吐量。

在消費類筆記本電腦中,NVMe M.2固態(tài)硬盤在進行大文件傳輸、持續(xù)寫入或游戲工作負載時經常會達到熱極限,尤其是在無風扇超薄設備中。集成μCooling的熱建模顯示:平均功耗裕度提高30-50%;溫度降低超過20%;熱阻降低30%;ΔT(高于環(huán)境的溫升)降低30%。

即便在最緊湊的器件中,這些改進也能減少熱降速并提高持續(xù)性能。

據(jù)研究公司IDC分析,在市場對數(shù)據(jù)中心、邊緣解決方案、AI基礎設施及消費設備需求增長的驅動下,固態(tài)硬盤市場預計以21.9%的復合年均增長率增長至2028年。

Mike Housholder補充道:“憑借μCooling,固態(tài)硬盤設計人員終于能夠實現(xiàn)真正的主動熱管理,而無需擴大硬盤或依賴系統(tǒng)氣流。這對超大規(guī)模服務器和超便攜PC來說都是一個突破。”

xMEMS μCooling的固態(tài)壓電MEMS設計不含電機或移動軸承,因此沒有機械磨損,實現(xiàn)了免維護可靠性和可大批量制造性。其緊湊的尺寸(小至9.3 x 7.6 x 1.13mm)與可擴展的架構使其非常適用于各種電子系統(tǒng)。

μCooling樣品現(xiàn)已上市,并將于2026年第一季度開始批量生產。

來源:半導體芯科技

審核編輯 黃宇

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