ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質的飛躍
ROHM（羅姆半導體）宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。
功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。
新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計算穩(wěn)定性和開關波形精度的同時，將仿真時間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應用設計階段的器件評估與損耗確認的效率。
“ROHM Level 3（L3）”的第4代SiC MOSFET模型（共37款機型）已于2025年4月在官網上發(fā)布，用戶可通過產品頁面等渠道下載。新模型L3推出后，以往模型仍將繼續(xù)提供。另外，ROHM還發(fā)布了詳細的使用說明白皮書，以幫助用戶順利導入新模型。
用戶可從第4代SiC MOSFET相應產品頁面的“設計模型”中下載
<相關信息>
- 白皮書
- 設計模型支持頁面
- SiC MOSFET技術文檔
未來，ROHM將繼續(xù)通過提升仿真技術，助力實現(xiàn)更高性能以及更高效率的應用設計，為電力轉換技術的革新貢獻力量。
審核編輯 黃宇
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