米勒效應所產(chǎn)生的電容和峰值問題在日常工作中，屬于一種比較常見的情況。在IGBT模塊操作中，如果沒有及時處理米勒電容問題，很容造成IGBT損壞。那么，寄生米勒電容有哪些危害？工程師應該如何快速的清除IGBT寄生米勒電容問題呢？就讓我們通過下文進行詳細的分析和介紹。

在日常的工作過程中，IGBT模塊操作時一旦出現(xiàn)了米勒效應的寄生電容問題，往往見于明顯的在0到15V類型的門極驅動器，也就是工程師們常說的單電源驅動器。門集-電極之間的耦合在IGBT關斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導寄生IGBT道通，也就是門集電壓尖峰，這對于IGBT乃至整機來說，都是一種潛在的危險。

通常情況下，為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生，國內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過使用負門極驅動。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二個方案則需要考慮到額外費用和成本問題，工程師需要依據(jù)實際情況進行比較和判斷。

目前業(yè)內(nèi)所采用通過縮短門極—發(fā)射極的路徑，用一個晶體管放在門極—發(fā)射極之間是一種比較常用的方法。這種方法在達到一定的閾值之后，晶體管將造成門極—發(fā)射極地區(qū)的短路。我們將這種加入額外晶體管的技術稱之為源米勒鉗位，這種辦法是能夠有效消除米勒效應產(chǎn)生的寄生電容問題。

結語

工程師在了解了米勒效應寄生電容所產(chǎn)生的根本原因之后，可以因地制宜的進行解決方案的選擇。及時消除米勒電容問題可以充分保證IGBT的正常工作運轉，也能夠有效的提升機體工作時長和工作效率。