一、輻射發(fā)射（RE）

輻射發(fā)射（RE）

輻射發(fā)射（Radiated Emission，簡稱RE）測試是一種用于評估電子設(shè)備通過空間輻射方式向外界發(fā)射電磁干擾的測試方法。該測試旨在確保設(shè)備在正常運行時不會對其他電子設(shè)備或無線通信系統(tǒng)造成有害干擾，符合電磁兼容性（EMC）法規(guī)要求。

測試頻率：30MHz~6GHz（部分高頻設(shè)備擴展至更高頻率）

目前優(yōu)恩半導體實驗室可檢測如下測試標準：

CISPR 11、CISPR 22、CISPR 15、CISPR 14-1、CISPR 25

GB 4824、GB 9254、GB/T 17743、GB/T 4343.1、GêB/T 18655

二、傳導發(fā)射（CE）

傳導發(fā)射（CE）

傳導發(fā)射（Conducted Emission，簡稱CE）測試是一種用于評估電子設(shè)備通過電源線或信號線向電網(wǎng)或其他設(shè)備傳導高頻干擾的測試方法。這種測試旨在確保設(shè)備在正常工作時不會對公共電網(wǎng)或其他連接設(shè)備造成電磁干擾，符合電磁兼容性（EMC）法規(guī)要求。

測試頻率：150kHz~30MHz

目前優(yōu)恩半導體實驗室可檢測如下測試標準：

CISPR 11、CISPR 22、CISPR 15、CISPR 14-1、CISPR 25

GB 4824、GB 9254、GB/T 17743、GB/T 4343.1、GB/T 18655

三、靜電放電抗擾度（ESD）

靜電放電抗擾度（ESD）

ESD（Electrostatic Discharge）靜電抗擾度測試是用于評估設(shè)備在靜電放電干擾下的抗干擾能力的測試方法。這種測試通常用于評估電子設(shè)備在靜電放電環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性，以確保其在面對靜電放電時能夠正常工作。

測試能力：接觸放電、空氣放電±30kV

目前我們優(yōu)恩可滿足如下測試標準：

GB/T 17626.2

IEC61000-4-2

ISO 10605

四、電快速瞬變脈沖群抗擾度（EFT/B）

電快速瞬變脈沖群抗擾度（EFT/B）

電快速瞬變脈沖群抗擾度（Immunity to Electrical Fast Transient/Bursts，簡稱EFT/B）測試是一種用于評估設(shè)備在電快速瞬變脈沖群干擾下的抗干擾能力的測試方法。這種測試主要模擬設(shè)備在運行過程中可能遇到的開關(guān)動作、繼電器觸點彈跳等引起的瞬態(tài)干擾，以確保設(shè)備在復雜電磁環(huán)境中能夠穩(wěn)定工作。

測試能力：±4KV

目前優(yōu)恩半導體實驗室可檢測如下測試標準：

GB/T 17626.4

IEC 61000-4-4

五、汽車電子EMC測試

汽車電子EMC測試

在汽車電子領(lǐng)域，電磁兼容性（EMC）測試是非常重要的，因為汽車內(nèi)部裝有許多電子設(shè)備，而且汽車在使用過程中會受到各種電磁干擾。汽車電子電磁兼容性（EMC）測試主要包含由傳導和耦合引起的電騷擾和電氣電子設(shè)備電氣負荷。

由傳導和耦合引起的電騷擾測試能力：脈沖干擾1、2a、2b、3a、3b、5a、5b

電氣電子設(shè)備電氣負荷測試能力：過電壓、疊加交流電壓、反向電壓、啟動特性、供電電壓瞬態(tài)變化

以下是我們優(yōu)恩可滿足的測試標準：

ISO 16750-2

GB/T 28064.2

ISO 7637-2

GB/T 21437.2

六、絕緣耐壓測試

絕緣耐壓測試

絕緣耐壓測試是用于評估電氣設(shè)備或組件在高電壓條件下絕緣性能的測試方法。這種測試通過施加高于設(shè)備額定電壓的測試電壓，驗證其絕緣材料能否承受短期過壓而不發(fā)生擊穿或漏電，以確保設(shè)備在正常工作或異常情況下的安全性和可靠性。

測試能力：

交流 ：0.05kV~5.0kV、直流 ：0.05kV~6.0kV、絕緣電阻 ：0.1MΩ~50GΩ

目前優(yōu)恩半導體實驗室可檢測如下測試標準：

GB/T 4943

IEC 60950

七、浪涌（沖擊）抗擾度（Surge）

浪涌（沖擊）抗擾度（Surge）

雷擊浪涌測試是一種用于評估設(shè)備在雷擊或電涌等電氣干擾情況下的抗干擾能力的測試方法。這種測試通常用于評估電子設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性，以確保其在面對突發(fā)的雷擊或電涌時能夠正常工作。

測試能力：

電流波：8/20μs ：150kA、10/350μs：30kA、10/1000μs：300A

電壓波：1.2/50μs：10kV、10/700μs：10kV

目前優(yōu)恩半導體實驗室可檢測如下測試標準：

GB/T 17626.5

IEC61000-4-5

八、器件檢測

器件檢測

絕緣耐壓測試是用于評估電氣設(shè)備或組件在高電壓條件下絕緣性能的測試方法。這種測試通過施加高于設(shè)備額定電壓的測試電壓，驗證其絕緣材料能否承受短期過壓而不發(fā)生擊穿或漏電，以確保設(shè)備在正常工作或異常情況下的安全性和可靠性。

1.TVS電性參數(shù)檢測

2.放電管電性參數(shù)檢測

3.壓敏電阻電性參數(shù)檢測

4.MOS靜態(tài)參數(shù)檢測

5.二極管電性參數(shù)檢測試

審核編輯 黃宇