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Texas Instruments TMAG5233平面內(nèi)霍爾效應開關數(shù)據(jù)手冊

科技觀察員 ? 2025-07-15 16:04 ? 次閱讀
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Texas Instruments TMAG5233平面內(nèi)霍爾效應開關設計用于替代TMR、AMR和磁簧開關,在成本要求較高的應用中使用。TMAG5233具有全極磁響應,可對南北磁極作出反應。當通過傳感器靈敏度軸的外加通量密度超過操作點閾值 (BOP) 時,設備輸出低電壓。輸出保持低電平,直到通量密度降至釋放點閾值 (BRP) 以下,然后設備輸出高電壓。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TMAG5233平面內(nèi)霍爾效應開關數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments TMAG5233采用內(nèi)部占空比,可最大限度地降低功耗。其推挽式 (CMOS) 輸出無需外部上拉電阻器,采用行業(yè)標準SOT-23封裝。

特性

  • -40°C至85°C的電源電壓范圍為1.65V至5.5V
  • 平面內(nèi)靈敏度軸
  • 全極磁極檢測(±)
  • 輸出類型為推挽式 (CMOS)
  • 低電平 (V OL ) 的有源輸出狀態(tài)(當B>BOP時)
  • 磁性工作點 (B OP ):±3mT
  • 磁性釋放點 (B RP ):±2.2mT
  • 占空比運行,可最大限度地降低ICC
    • 5Hz:0.55μA(預覽)
    • 40Hz:2.7μA
  • 3引腳SOT-23(VCC 、GND、OUT)行業(yè)標準封裝

應用

  • 門窗傳感器
  • 電器門打開/關閉
  • 電表篡改檢測
  • 電子智能鎖
  • 煙霧探測器按鈕
  • 食品處理器配件檢測
  • 筆記本電腦

功能框圖

1.png

磁通密度方向

2.png

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