Texas Instruments TMAG5233平面內(nèi)霍爾效應開關設計用于替代TMR、AMR和磁簧開關,在成本要求較高的應用中使用。TMAG5233具有全極磁響應,可對南北磁極作出反應。當通過傳感器靈敏度軸的外加通量密度超過操作點閾值 (BOP) 時,設備輸出低電壓。輸出保持低電平,直到通量密度降至釋放點閾值 (BRP) 以下,然后設備輸出高電壓。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TMAG5233平面內(nèi)霍爾效應開關數(shù)據(jù)手冊.pdf
Texas Instruments TMAG5233采用內(nèi)部占空比,可最大限度地降低功耗。其推挽式 (CMOS) 輸出無需外部上拉電阻器,采用行業(yè)標準SOT-23封裝。
特性
- -40°C至85°C的電源電壓范圍為1.65V至5.5V
- 平面內(nèi)靈敏度軸
- 全極磁極檢測(±)
- 輸出類型為推挽式 (CMOS)
- 低電平 (V
OL) 的有源輸出狀態(tài)(當B>BOP時) - 磁性工作點 (B
OP):±3mT - 磁性釋放點 (B
RP):±2.2mT - 占空比運行,可最大限度地降低I
CC- 5Hz:0.55μA(預覽)
- 40Hz:2.7μA
- 3引腳SOT-23(V
CC、GND、OUT)行業(yè)標準封裝
應用
功能框圖

磁通密度方向

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