具有集成驅(qū)動器和保護功能的 LMG352xR030 GaN FET 面向開關模式電源轉(zhuǎn)換器，使設計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健?/p>

LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的壓擺率，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關性能。該LMG3526R030包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，當實現(xiàn)零電壓開關時，該功能從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。該LMG3527R030包括零電流檢測 （ZCD） 功能，當檢測到漏源正電流時，該功能從 ZCD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：lmg3522r030.pdf

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報告，從而簡化了器件負載的管理。報告的故障包括過流、短路、過熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

• 650V 硅基氮化鎵 FET，集成柵極驅(qū)動器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 保持
  • 2MHz開關頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關性能和 EMI 緩解
  • 工作電壓范圍為 7.5V 至 18V
• 強大的保護
  • 逐周期過流和鎖存短路保護，響應< 100ns
  • 硬開關時可承受 720V 浪涌
  • 自我保護，防止內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控
• 先進的電源管理
  • 數(shù)字溫度PWM輸出
  • LMG3526R030包括零電壓檢測 （ZVD） 功能，有助于軟開關轉(zhuǎn)換器
  • LMG3527R030包括零電流檢測 （ZCD） 功能，有助于軟開關轉(zhuǎn)換器
• 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和熱路徑分開，以實現(xiàn)最低功率環(huán)路電感

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LMG352xR030是德州儀器（TI）推出的650V/30mΩ氮化鎵（GaN）場效應晶體管系列，包含三款型號：

• ?LMG3522R030?：基礎型號
• ?LMG3526R030?：集成零電壓檢測（ZVD）功能
• ?LMG3527R030?：集成零電流檢測（ZCD）功能

?2. 核心特性?

• ?集成驅(qū)動與保護?
  • 內(nèi)置高精度柵極驅(qū)動電路，支持7.5V-18V供電
  • 可調(diào)開關速率（20V/ns至150V/ns），優(yōu)化EMI與開關性能
  • 提供過流、短路、過溫、欠壓（UVLO）等多重保護，響應時間<100ns
• ?先進功能?
  • ?溫度報告?：通過PWM輸出實時反饋芯片溫度（9kHz頻率，3%-82%占空比對應25°C-150°C）
  • ?ZVD/ZCD?（特定型號）：
    • LMG3526R030檢測零電壓開關（ZVS），輸出脈沖信號
    • LMG3527R030檢測正極電流，支持軟開關拓撲
• ?封裝與散熱?
  • 12mm×12mm VQFN封裝，頂部散熱設計
  • 熱阻0.28°C/W（結到外殼）

?3. 關鍵參數(shù)?

• ?電氣性能?
  • 導通電阻：26mΩ（25°C）至45mΩ（125°C）
  • 輸出電容：235pF（VDS=400V）
  • 最大開關頻率：2MHz（VDD≥9V）
• ?保護閾值?
  • 過流保護：60-80A
  • 短路保護：75-105A
  • 過溫關斷：175°C（GaN芯片）/185°C（驅(qū)動電路）

?4. 應用場景?

• 開關電源（如服務器PSU、通信整流器）
• 太陽能逆變器與工業(yè)電機驅(qū)動
• 不間斷電源（UPS）

?5. 設計支持?

• ?布局建議?：四層PCB優(yōu)先，最小化功率回路電感（典型值2.5nH）
• ?驅(qū)動配置?：通過RDRV引腳電阻調(diào)節(jié)開關速率
• ?熱管理?：推薦使用散熱片與絕緣導熱材料