恩智浦半導(dǎo)體在6月12日宣布推出用于實現(xiàn)5G基礎(chǔ)設(shè)施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產(chǎn)品組合解決了在開發(fā)用于5G大規(guī)模多輸入多輸出（mMIMO）的蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施時，涉及的幾個最棘手的問題，包括功率放大器集成、不斷縮小的電路板空間、實際占位面積以及不同型號之間的引腳兼容性。

mMIMO是5G的重要基礎(chǔ)，因為它能夠滿足網(wǎng)絡(luò)對射頻（RF）技術(shù)的需求，以應(yīng)對5G即將帶來的數(shù)據(jù)使用量激增。mMIMO在特定頻譜中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量遠(yuǎn)多于當(dāng)前和傳統(tǒng)的無線電技術(shù)。

恩智浦在本周的國際微波研討會（IMS2018）上推出面向5G的新型前端解決方案，旨在應(yīng)對開發(fā)外形尺寸最小的經(jīng)濟高效型高性能解決方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，為蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施提供新一代有源天線系統(tǒng)（AAS）。簡而言之：將mMIMO需要的一切功能集成到盡可能小的器件中。

恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解決方案組合來應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，因而對客戶來說更加易用和經(jīng)濟高效，并在所有頻段和功率水平之間實現(xiàn)即插即用。恩智浦前端解決方案產(chǎn)品線總監(jiān)Mario Bokatius表示：“開發(fā)這些器件的目的是讓客戶能夠以盡可能低的成本設(shè)計他們的系統(tǒng)?！?/p>

恩智浦前端解決方案覆蓋了對早期5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)開發(fā)最關(guān)鍵的頻率范圍，即2.3 GHz至5 GHz。

用于5G實現(xiàn)的恩智浦前端解決方案包括對開發(fā)mMIMO射頻前端最關(guān)鍵的三種不同功能：

· 高效率功率放大器模塊（PAM），在輸入端和輸出端完全匹配至50 Ohm，實現(xiàn)了占位面積和引腳兼容，覆蓋廣泛的功率水平范圍和頻段，并采用相同的板設(shè)計；

· 前置驅(qū)動器放大器模塊，具有超低的功耗，覆蓋從2.3 GHz到5 GHz的整個頻率范圍，在器件系列內(nèi)部實現(xiàn)完全的占位面積和引腳兼容；

· 接收器前端模塊，提供集成的時分雙工（TDD）切換和用于信號接收的低噪聲放大（LNA）功能。

Bokatius表示：“我們在不影響高性能要求的前提下提供最高的集成度，但這只是一個開始。展望未來，隨著恩智浦繼續(xù)致力于提供業(yè)界占位面積最小、成本最低的解決方案，我們還將實現(xiàn)更多的集成?！?/p>

恩智浦充分利用硅基LDMOS技術(shù)，為射頻產(chǎn)品客戶提供最有利的成本結(jié)構(gòu)。自從幾十年前問世以來，LDMOS經(jīng)歷了持續(xù)創(chuàng)新。LDMOS能夠提供持續(xù)提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再結(jié)合出色的耐用性和低發(fā)熱特征，這些優(yōu)點使得它成為射頻功率放大器應(yīng)用中的主導(dǎo)器件技術(shù)，適用于從1 GHz以下到3 GHz的頻率范圍。恩智浦的LDMOS技術(shù)現(xiàn)在將其領(lǐng)先地位擴展到高達(dá)5 GHz的頻率范圍。使用LDMOS技術(shù)，這些解決方案能夠提供與非硅基射頻功率晶體管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。

恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示：“憑借我們的領(lǐng)先優(yōu)勢和在無線通信行業(yè)的雄厚技術(shù)實力，我們在作為合作伙伴繼續(xù)為客戶提供5G解決方案方面處于非常有利的地位。”