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引領(lǐng)高效能新紀元:基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-08-25 18:07 ? 次閱讀
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引領(lǐng)高效能新紀元:傾佳力推基本半導(dǎo)體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業(yè)應(yīng)用

電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,對高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?;景雽?dǎo)體(BASiC Semiconductor)深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列,包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3和BMF160R12RA3。這些模塊憑借卓越的性能,成為逆變焊機、感應(yīng)加熱、電鍍電源、高頻直流電源以及儲能變流器和DC/DC等尖端應(yīng)用的理想選擇。

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

核心技術(shù)優(yōu)勢:為嚴苛應(yīng)用而生

此系列SiC MOSFET模塊采用先進的半橋封裝(34mm),專為高頻、高效應(yīng)用而設(shè)計。它們的核心優(yōu)勢包括:

極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)?): 顯著降低模塊在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗,提升系統(tǒng)整體效率。例如,BMF60R12RB3的典型導(dǎo)通電阻為21.2mΩ ,而BMF160R12RA3更是低至7.5mΩ 。

低開關(guān)損耗與低電感設(shè)計: 模塊具備優(yōu)異的開關(guān)特性,通過低電感封裝設(shè)計,有效抑制開關(guān)瞬態(tài)過壓,降低開關(guān)損耗 。

高電流密度: 模塊芯片采用高電流密度設(shè)計,確保在緊湊的封裝內(nèi)實現(xiàn)更高的功率輸出 。

銅基板: 采用銅基板設(shè)計,提供卓越的散熱性能,保證模塊在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定可靠 。

模塊型號概覽與應(yīng)用亮點

該系列產(chǎn)品覆蓋不同電流等級,為工程師提供靈活的選型空間,以匹配不同功率等級的應(yīng)用需求:

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BMF60R12RB3 (1200V, 60A)

憑借其低導(dǎo)通電阻(典型值21.2mΩ)和低開關(guān)損耗,是逆變焊機和高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇 。其優(yōu)異的散熱設(shè)計確保在持續(xù)大電流工作下仍能穩(wěn)定運行。

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BMF80R12RA3 (1200V, 80A)

該模塊具備更高的額定電流能力,典型導(dǎo)通電阻為15mΩ 。適用于需要更高功率輸出的感應(yīng)加熱和儲能DC/DC應(yīng)用,能有效提高系統(tǒng)功率密度和效率。

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BMF120R12RB3 (1200V, 120A)

在75°C外殼溫度下,額定電流高達120A,典型導(dǎo)通電阻為10.6mΩ 。其出色的性能使其特別適合大功率的電鍍電源和儲能變流器,能顯著減少系統(tǒng)體積和重量。

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BMF160R12RA3 (1200V, 160A)

作為該系列中的旗艦產(chǎn)品,BMF160R12RA3在75°C外殼溫度下可承載160A的連續(xù)電流,典型導(dǎo)通電阻僅為7.5mΩ 。這使其成為最高功率等級應(yīng)用的首選,如大型逆變焊機、高頻直流電源以及高功率密度的儲能變流器。

結(jié)語

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基本半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET模塊系列,通過將SiC材料的固有優(yōu)勢與優(yōu)化的封裝設(shè)計相結(jié)合,有效解決了傳統(tǒng)半導(dǎo)體在高頻、大功率應(yīng)用中的瓶頸。無論是需要高效、緊湊的逆變焊機,還是追求穩(wěn)定、可靠的儲能系統(tǒng),該系列模塊都能提供卓越的解決方案,助力您的產(chǎn)品在激烈的市場競爭中脫穎而出。

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:

傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:

新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;

交通電動化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機)及高壓平臺升級;

數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。

公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應(yīng)國家“雙碳”政策(碳達峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

需求SiC碳化硅MOSFET單管及功率模塊,配套驅(qū)動板及驅(qū)動IC,請搜索傾佳電子楊茜

審核編輯 黃宇

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