1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低的導通電阻和更高的開關頻率，能夠有效提高功率密度、減小系統(tǒng)體積提升整體效率，并有助于降低系統(tǒng)散熱與成本。

產品型號

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

產品優(yōu)勢

先進的平面柵工藝及小元胞尺寸

低導通電阻與高載流能力

低開關損耗

良好的封裝與兼容性

強可靠性及車規(guī)級應用經驗

應用領域

新能源發(fā)電及并網：光伏逆變器、風電變流器

工業(yè)與能源存儲：儲能系統(tǒng)(ESS)、工業(yè)電機驅動

電力傳輸與配電：低壓直流輸電(HVDC 輔助環(huán)節(jié))、直流配電網

數據中心 HVDC 供電系統(tǒng)：功率因數校正(PFC)電路、DC/DC 轉換模塊

電動汽車及充電樁：高壓車載充電機(OBC)、直流快充樁

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 通過平衡性能與成本，為中高壓電力電子系統(tǒng)提供了高效、可靠的解決方案，尤其在新能源和能源轉型相關領域具有較強的應用潛力。具體型號的參數(如導通電阻、電流等級等)可通過我們的官方網站查看 datasheet，以匹配您的具體應用場景的需求。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域。